8 611 200 879 Cypress Semiconductor Corp IC MEMORY 1GB FLASH 3.0V 64FBGA
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
8 611 200 879
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC MEMORY 1GB FLASH 3.0V 64FBGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
-
Memory Interface :
-
Memory Size :
-
Memory Type :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Obsolete
Series :
Supplier Device Package :
-
Technology :
-
Voltage - Supply :
-
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
24,704
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
8 611 200 879 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 8 611 200 879 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc 8 611 200 879. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 8 611 200 879. Нажмите, чтобы получить предложение
8 611 200 879 Особенности
8 611 200 879 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -, the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the series, using -, - is the most suitable voltage.
8 611 200 879 Подробная информация о продукции
:
8 611 200 879 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
8 611 200 879 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
8 611 200 879 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 8 611 200 879 (PDF), цена 8 611 200 879, Распиновка 8 611 200 879, руководство 8 611 200 879 и решение на замену 8 611 200 879.
8 611 200 879 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
8 611 200 879 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 8 611 200 879 (PDF), цена 8 611 200 879, Распиновка 8 611 200 879, руководство 8 611 200 879 и решение на замену 8 611 200 879.
8 611 200 879 FAQ
:
1. What is the operating temperature range for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The operating temperature range for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is typically -55°C to 150°C.
2. What is the maximum voltage rating for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The maximum voltage rating for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is 100V.
3. Can the 8 611 200 879 discrete semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the 8 611 200 879 discrete semiconductor can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the typical on-state voltage drop for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The typical on-state voltage drop for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is 0.7V.
5. Is the 8 611 200 879 discrete semiconductor suitable for automotive applications?
Yes, the 8 611 200 879 discrete semiconductor is suitable for automotive applications as it meets the required automotive quality standards.
6. What is the maximum continuous current rating for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The maximum continuous current rating for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is 10A.
7. Does the 8 611 200 879 discrete semiconductor require a heat sink for operation?
It depends on the application and the power dissipation, but for high-power applications, a heat sink may be necessary for the 8 611 200 879 discrete semiconductor.
8. What is the typical reverse recovery time for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The typical reverse recovery time for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is 50ns.
9. Can the 8 611 200 879 discrete semiconductor handle high surge currents?
Yes, the 8 611 200 879 discrete semiconductor is capable of handling high surge currents for short durations.
10. What are the recommended storage conditions for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The recommended storage conditions for the 8 611 200 879 discrete semiconductor are a dry environment with a temperature range of -55°C to 150°C.
The operating temperature range for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is typically -55°C to 150°C.
2. What is the maximum voltage rating for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The maximum voltage rating for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is 100V.
3. Can the 8 611 200 879 discrete semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the 8 611 200 879 discrete semiconductor can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the typical on-state voltage drop for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The typical on-state voltage drop for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is 0.7V.
5. Is the 8 611 200 879 discrete semiconductor suitable for automotive applications?
Yes, the 8 611 200 879 discrete semiconductor is suitable for automotive applications as it meets the required automotive quality standards.
6. What is the maximum continuous current rating for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The maximum continuous current rating for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is 10A.
7. Does the 8 611 200 879 discrete semiconductor require a heat sink for operation?
It depends on the application and the power dissipation, but for high-power applications, a heat sink may be necessary for the 8 611 200 879 discrete semiconductor.
8. What is the typical reverse recovery time for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The typical reverse recovery time for the 8 611 200 879 discrete semiconductor is 50ns.
9. Can the 8 611 200 879 discrete semiconductor handle high surge currents?
Yes, the 8 611 200 879 discrete semiconductor is capable of handling high surge currents for short durations.
10. What are the recommended storage conditions for the 8 611 200 879 discrete semiconductor?
The recommended storage conditions for the 8 611 200 879 discrete semiconductor are a dry environment with a temperature range of -55°C to 150°C.
8 611 200 879 Связанные ключевые слова
:
8 611 200 879 Цена
8 611 200 879 Картина
8 611 200 879 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"8 61"
series
products
