IS29GL512S-11DHB010 Cypress Semiconductor Corp NOR
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
IS29GL512S-11DHB010
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
NOR
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
110ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Mb (64M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Obsolete
Series :
GL-S
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
60ns
в наличии
40,071
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IS29GL512S-11DHB010 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IS29GL512S-11DHB010 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc IS29GL512S-11DHB010. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IS29GL512S-11DHB010. Нажмите, чтобы получить предложение
IS29GL512S-11DHB010 Особенности
IS29GL512S-11DHB010 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the GL-S series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
IS29GL512S-11DHB010 Подробная информация о продукции
:
IS29GL512S-11DHB010 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
IS29GL512S-11DHB010 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IS29GL512S-11DHB010 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IS29GL512S-11DHB010 (PDF), цена IS29GL512S-11DHB010, Распиновка IS29GL512S-11DHB010, руководство IS29GL512S-11DHB010 и решение на замену IS29GL512S-11DHB010.
IS29GL512S-11DHB010 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IS29GL512S-11DHB010 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IS29GL512S-11DHB010 (PDF), цена IS29GL512S-11DHB010, Распиновка IS29GL512S-11DHB010, руководство IS29GL512S-11DHB010 и решение на замену IS29GL512S-11DHB010.
IS29GL512S-11DHB010 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The maximum operating frequency of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory is 66MHz.
2. What is the voltage range for the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The voltage range for the IS29GL512S-11DHB010 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the IS29GL512S-11DHB010 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 flash memory can be operated in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical access time of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The typical access time of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory is 90ns.
5. Does the IS29GL512S-11DHB010 support simultaneous read and write operations?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The maximum data retention period of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory is 20 years.
7. Is the IS29GL512S-11DHB010 compatible with common microcontrollers?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 is compatible with common microcontrollers that support parallel flash memory interfaces.
8. What is the package type of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The IS29GL512S-11DHB010 flash memory comes in a 56-pin TSOP (Type I) package.
9. Can the IS29GL512S-11DHB010 operate at different clock frequencies?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 can operate at different clock frequencies depending on the system requirements.
10. Does the IS29GL512S-11DHB010 have built-in error correction capabilities?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 flash memory has built-in error correction capabilities to ensure data integrity.
The maximum operating frequency of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory is 66MHz.
2. What is the voltage range for the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The voltage range for the IS29GL512S-11DHB010 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the IS29GL512S-11DHB010 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 flash memory can be operated in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical access time of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The typical access time of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory is 90ns.
5. Does the IS29GL512S-11DHB010 support simultaneous read and write operations?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The maximum data retention period of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory is 20 years.
7. Is the IS29GL512S-11DHB010 compatible with common microcontrollers?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 is compatible with common microcontrollers that support parallel flash memory interfaces.
8. What is the package type of the IS29GL512S-11DHB010 flash memory?
The IS29GL512S-11DHB010 flash memory comes in a 56-pin TSOP (Type I) package.
9. Can the IS29GL512S-11DHB010 operate at different clock frequencies?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 can operate at different clock frequencies depending on the system requirements.
10. Does the IS29GL512S-11DHB010 have built-in error correction capabilities?
Yes, the IS29GL512S-11DHB010 flash memory has built-in error correction capabilities to ensure data integrity.
IS29GL512S-11DHB010 Связанные ключевые слова
:
IS29GL512S-11DHB010 Цена
IS29GL512S-11DHB010 Картина
IS29GL512S-11DHB010 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IS29"
series
products