S29GL064N11FFIS33 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA
Интегральные схемы (ИС) 64-LBGA
Номер производителя:
S29GL064N11FFIS33
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
110ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
64-LBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
GL-N
Supplier Device Package :
64-Fortified BGA (13x11)
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
1.65 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
110ns
в наличии
53,169
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S29GL064N11FFIS33 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL064N11FFIS33 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc S29GL064N11FFIS33. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S29GL064N11FFIS33. Нажмите, чтобы получить предложение
S29GL064N11FFIS33 Особенности
S29GL064N11FFIS33 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 64-LBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the GL-N series, using 64-Fortified BGA (13x11), 1.65 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
S29GL064N11FFIS33 Подробная информация о продукции
:
S29GL064N11FFIS33 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S29GL064N11FFIS33 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL064N11FFIS33 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL064N11FFIS33 (PDF), цена S29GL064N11FFIS33, Распиновка S29GL064N11FFIS33, руководство S29GL064N11FFIS33 и решение на замену S29GL064N11FFIS33.
S29GL064N11FFIS33 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL064N11FFIS33 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL064N11FFIS33 (PDF), цена S29GL064N11FFIS33, Распиновка S29GL064N11FFIS33, руководство S29GL064N11FFIS33 и решение на замену S29GL064N11FFIS33.
S29GL064N11FFIS33 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL064N11FFIS33 flash memory is 66 MHz.
2. What is the voltage range for the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The voltage range for the S29GL064N11FFIS33 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the S29GL064N11FFIS33 flash memory be operated in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the S29GL064N11FFIS33 flash memory can be operated in both synchronous and asynchronous modes.
4. What is the typical access time of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The typical access time of the S29GL064N11FFIS33 flash memory is 90 ns.
5. Does the S29GL064N11FFIS33 flash memory support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL064N11FFIS33 flash memory supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL064N11FFIS33 flash memory is 20 years.
7. Is the S29GL064N11FFIS33 flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL064N11FFIS33 flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
8. What is the package type of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The S29GL064N11FFIS33 flash memory comes in a 48-ball Fortified BGA (FBGA) package.
9. Can the S29GL064N11FFIS33 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL064N11FFIS33 flash memory can be used in automotive applications.
10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The S29GL064N11FFIS33 flash memory has a maximum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles.
The maximum operating frequency of the S29GL064N11FFIS33 flash memory is 66 MHz.
2. What is the voltage range for the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The voltage range for the S29GL064N11FFIS33 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the S29GL064N11FFIS33 flash memory be operated in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the S29GL064N11FFIS33 flash memory can be operated in both synchronous and asynchronous modes.
4. What is the typical access time of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The typical access time of the S29GL064N11FFIS33 flash memory is 90 ns.
5. Does the S29GL064N11FFIS33 flash memory support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL064N11FFIS33 flash memory supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL064N11FFIS33 flash memory is 20 years.
7. Is the S29GL064N11FFIS33 flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL064N11FFIS33 flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
8. What is the package type of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The S29GL064N11FFIS33 flash memory comes in a 48-ball Fortified BGA (FBGA) package.
9. Can the S29GL064N11FFIS33 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL064N11FFIS33 flash memory can be used in automotive applications.
10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the S29GL064N11FFIS33 flash memory?
The S29GL064N11FFIS33 flash memory has a maximum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles.
S29GL064N11FFIS33 Связанные ключевые слова
:
S29GL064N11FFIS33 Цена
S29GL064N11FFIS33 Картина
S29GL064N11FFIS33 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S29G"
series
products
