WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. S29GL064N11FFIV12 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA
S29GL064N11FFIV12 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA
S29GL064N11FFIV12 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA

S29GL064N11FFIV12 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA

Интегральные схемы (ИС)     64-LBGA
Номер производителя:
S29GL064N11FFIV12
Производитель:
Cypress Semiconductor Corp
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
S29GL064N11FFIV12 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
110ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
64-LBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
GL-N
Supplier Device Package :
64-Fortified BGA (13x11)
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
1.65 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
110ns
в наличии
26,470
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

S29GL064N11FFIV12 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL064N11FFIV12 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc S29GL064N11FFIV12. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на S29GL064N11FFIV12. Нажмите, чтобы получить предложение
 

S29GL064N11FFIV12 Особенности

S29GL064N11FFIV12 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 64-LBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the GL-N series, using 64-Fortified BGA (13x11), 1.65 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

S29GL064N11FFIV12 Подробная информация о продукции

:
S29GL064N11FFIV12 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Cypress Semiconductor Corp.
S29GL064N11FFIV12 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL064N11FFIV12 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL064N11FFIV12 (PDF), цена S29GL064N11FFIV12, Распиновка S29GL064N11FFIV12, руководство S29GL064N11FFIV12 и решение на замену S29GL064N11FFIV12.
  

S29GL064N11FFIV12 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL064N11FFIV12 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL064N11FFIV12 flash memory is 66 MHz.

2. What is the voltage range for the S29GL064N11FFIV12 flash memory?
The voltage range for the S29GL064N11FFIV12 flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the S29GL064N11FFIV12 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL064N11FFIV12 flash memory can be operated in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the typical power consumption of the S29GL064N11FFIV12 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL064N11FFIV12 flash memory during read operations is 30 mA.

5. Does the S29GL064N11FFIV12 flash memory support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL064N11FFIV12 flash memory supports simultaneous read and write operations.

6. What is the maximum data retention period of the S29GL064N11FFIV12 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL064N11FFIV12 flash memory is 20 years.

7. Is the S29GL064N11FFIV12 flash memory compatible with common microcontroller interfaces?
Yes, the S29GL064N11FFIV12 flash memory is compatible with common microcontroller interfaces such as SPI and parallel interfaces.

8. What is the erase/program cycle endurance of the S29GL064N11FFIV12 flash memory?
The erase/program cycle endurance of the S29GL064N11FFIV12 flash memory is 100,000 cycles.

9. Can the S29GL064N11FFIV12 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL064N11FFIV12 flash memory is suitable for use in automotive applications.

10. What are the available package options for the S29GL064N11FFIV12 flash memory?
The S29GL064N11FFIV12 flash memory is available in a variety of package options including TSOP, BGA, and FBGA.
  

S29GL064N11FFIV12 Связанные ключевые слова

:
S29GL064N11FFIV12 Цена
S29GL064N11FFIV12 Техническая спецификация
S29GL064N11FFIV12 Картина
S29GL064N11FFIV12 PDF
S29GL064N11FFIV12 Технические характеристики
S29GL064N11FFIV12 Напряжение на выводе
S29GL064N11FFIV12 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "S29G" series products