S29GL064S70BHA043 Cypress Semiconductor Corp NOR
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
S29GL064S70BHA043
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
NOR
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
S29GL064S70BHA043 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
70ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Active
Series :
Automotive, AEC-Q100, GL-S
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
60ns
в наличии
30,739
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S29GL064S70BHA043 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL064S70BHA043 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc S29GL064S70BHA043. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S29GL064S70BHA043. Нажмите, чтобы получить предложение
S29GL064S70BHA043 Особенности
S29GL064S70BHA043 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the Automotive, AEC-Q100, GL-S series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
S29GL064S70BHA043 Подробная информация о продукции
:
S29GL064S70BHA043 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S29GL064S70BHA043 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL064S70BHA043 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL064S70BHA043 (PDF), цена S29GL064S70BHA043, Распиновка S29GL064S70BHA043, руководство S29GL064S70BHA043 и решение на замену S29GL064S70BHA043.
S29GL064S70BHA043 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL064S70BHA043 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL064S70BHA043 (PDF), цена S29GL064S70BHA043, Распиновка S29GL064S70BHA043, руководство S29GL064S70BHA043 и решение на замену S29GL064S70BHA043.
S29GL064S70BHA043 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL064S70BHA043 flash memory is 133 MHz.
2. What is the voltage range for the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The voltage range for the S29GL064S70BHA043 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the S29GL064S70BHA043 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL064S70BHA043 flash memory can be operated in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical power consumption of the S29GL064S70BHA043 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL064S70BHA043 flash memory during read operations is 50 mA.
5. Does the S29GL064S70BHA043 flash memory support uniform block architecture?
Yes, the S29GL064S70BHA043 flash memory supports uniform block architecture for easy and efficient data management.
6. What is the maximum data transfer rate of the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The maximum data transfer rate of the S29GL064S70BHA043 flash memory is 66 MB/s.
7. Is the S29GL064S70BHA043 flash memory compatible with SPI interface?
Yes, the S29GL064S70BHA043 flash memory is compatible with SPI interface for flexible integration with various systems.
8. What is the erase time for a sector of the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The erase time for a sector of the S29GL064S70BHA043 flash memory is typically 2 milliseconds.
9. Can the S29GL064S70BHA043 flash memory withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the S29GL064S70BHA043 flash memory can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
10. What is the maximum endurance cycle of the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The maximum endurance cycle of the S29GL064S70BHA043 flash memory is 100,000 program/erase cycles.
The maximum operating frequency of the S29GL064S70BHA043 flash memory is 133 MHz.
2. What is the voltage range for the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The voltage range for the S29GL064S70BHA043 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the S29GL064S70BHA043 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL064S70BHA043 flash memory can be operated in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical power consumption of the S29GL064S70BHA043 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL064S70BHA043 flash memory during read operations is 50 mA.
5. Does the S29GL064S70BHA043 flash memory support uniform block architecture?
Yes, the S29GL064S70BHA043 flash memory supports uniform block architecture for easy and efficient data management.
6. What is the maximum data transfer rate of the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The maximum data transfer rate of the S29GL064S70BHA043 flash memory is 66 MB/s.
7. Is the S29GL064S70BHA043 flash memory compatible with SPI interface?
Yes, the S29GL064S70BHA043 flash memory is compatible with SPI interface for flexible integration with various systems.
8. What is the erase time for a sector of the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The erase time for a sector of the S29GL064S70BHA043 flash memory is typically 2 milliseconds.
9. Can the S29GL064S70BHA043 flash memory withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the S29GL064S70BHA043 flash memory can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
10. What is the maximum endurance cycle of the S29GL064S70BHA043 flash memory?
The maximum endurance cycle of the S29GL064S70BHA043 flash memory is 100,000 program/erase cycles.
S29GL064S70BHA043 Связанные ключевые слова
:
S29GL064S70BHA043 Цена
S29GL064S70BHA043 Картина
S29GL064S70BHA043 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S29G"
series
products
