S29GL512P10TFIR10 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 100NS 56TSOP
Интегральные схемы (ИС) 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
S29GL512P10TFIR10
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 512MBIT 100NS 56TSOP
Состояние RoHs:

Таблицы данных:
Access Time :
100ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Mb (32M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tray
Part Status :
Obsolete
Series :
GL-P
Supplier Device Package :
56-TSOP
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
100ns
в наличии
13,953
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S29GL512P10TFIR10 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL512P10TFIR10 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc S29GL512P10TFIR10. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S29GL512P10TFIR10. Нажмите, чтобы получить предложение
S29GL512P10TFIR10 Особенности
S29GL512P10TFIR10 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tray is its most common packaging method, which belongs to the GL-P series, using 56-TSOP, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
S29GL512P10TFIR10 Подробная информация о продукции
:
S29GL512P10TFIR10 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512P10TFIR10 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512P10TFIR10 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512P10TFIR10 (PDF), цена S29GL512P10TFIR10, Распиновка S29GL512P10TFIR10, руководство S29GL512P10TFIR10 и решение на замену S29GL512P10TFIR10.
S29GL512P10TFIR10 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512P10TFIR10 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512P10TFIR10 (PDF), цена S29GL512P10TFIR10, Распиновка S29GL512P10TFIR10, руководство S29GL512P10TFIR10 и решение на замену S29GL512P10TFIR10.
S29GL512P10TFIR10 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512P10TFIR10 flash memory is 100 MHz.
2. What is the voltage range for the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The voltage range for the S29GL512P10TFIR10 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the S29GL512P10TFIR10 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512P10TFIR10 flash memory can be operated in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical access time of the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The typical access time of the S29GL512P10TFIR10 flash memory is 90 ns.
5. Does the S29GL512P10TFIR10 support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512P10TFIR10 supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL512P10TFIR10 flash memory is 20 years.
7. Is the S29GL512P10TFIR10 flash memory compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29GL512P10TFIR10 flash memory is compatible with standard flash memory interfaces such as parallel NOR Flash.
8. What are the available package options for the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The S29GL512P10TFIR10 flash memory is available in a 56-ball Fortified BGA (FBGA) package.
9. Can the S29GL512P10TFIR10 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL512P10TFIR10 flash memory can be used in automotive applications and is AEC-Q100 qualified.
10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The S29GL512P10TFIR10 flash memory has a maximum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles.
The maximum operating frequency of the S29GL512P10TFIR10 flash memory is 100 MHz.
2. What is the voltage range for the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The voltage range for the S29GL512P10TFIR10 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the S29GL512P10TFIR10 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512P10TFIR10 flash memory can be operated in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical access time of the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The typical access time of the S29GL512P10TFIR10 flash memory is 90 ns.
5. Does the S29GL512P10TFIR10 support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512P10TFIR10 supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL512P10TFIR10 flash memory is 20 years.
7. Is the S29GL512P10TFIR10 flash memory compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29GL512P10TFIR10 flash memory is compatible with standard flash memory interfaces such as parallel NOR Flash.
8. What are the available package options for the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The S29GL512P10TFIR10 flash memory is available in a 56-ball Fortified BGA (FBGA) package.
9. Can the S29GL512P10TFIR10 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL512P10TFIR10 flash memory can be used in automotive applications and is AEC-Q100 qualified.
10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512P10TFIR10 flash memory?
The S29GL512P10TFIR10 flash memory has a maximum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles.
S29GL512P10TFIR10 Связанные ключевые слова
:
S29GL512P10TFIR10 Цена
S29GL512P10TFIR10 Картина
S29GL512P10TFIR10 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S29G"
series
products