S29GL512P11FAI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 110NS 64BGA

Интегральные схемы (ИС) 64-LBGA

Номер производителя:

S29GL512P11FAI010

Производитель:

Cypress Semiconductor Corp

Категория продукции:

объем памяти

Описание:

IC FLASH 512MBIT 110NS 64BGA

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

S29GL512P11FAI010 Таблицы данных(PDF)

Access Time :

110ns

Clock Frequency :

Memory Format :

Flash

Memory Interface :

Parallel

Memory Size :

512Mb (32M x 16)

Memory Type :

Non-Volatile

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-40°C ~ 85°C (TA)

Package / Case :

64-LBGA

Packaging :

Tray

Part Status :

Obsolete

Series :

GL-P

Supplier Device Package :

64-Fortified BGA (13x11)

Technology :

FLASH - NOR

Voltage - Supply :

2.7 V ~ 3.6 V

Write Cycle Time - Word, Page :

110ns

в наличии

56,780

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

S29GL512P11FAI010 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL512P11FAI010 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc S29GL512P11FAI010. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на S29GL512P11FAI010. Нажмите, чтобы получить предложение

S29GL512P11FAI010 Особенности

S29GL512P11FAI010 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 64-LBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the GL-P series, using 64-Fortified BGA (13x11), 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.

S29GL512P11FAI010 Подробная информация о продукции

S29GL512P11FAI010 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512P11FAI010 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512P11FAI010 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512P11FAI010 (PDF), цена S29GL512P11FAI010, Распиновка S29GL512P11FAI010, руководство S29GL512P11FAI010 и решение на замену S29GL512P11FAI010.

S29GL512P11FAI010 FAQ

1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512P11FAI010 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512P11FAI010 flash memory is 66 MHz.

2. What is the voltage range for the S29GL512P11FAI010 flash memory?
The voltage range for the S29GL512P11FAI010 flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the S29GL512P11FAI010 flash memory be operated in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the S29GL512P11FAI010 flash memory can be operated in both synchronous and asynchronous modes.

4. What is the typical power consumption of the S29GL512P11FAI010 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512P11FAI010 flash memory during read operations is 50 mA.

5. Does the S29GL512P11FAI010 flash memory support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512P11FAI010 flash memory supports simultaneous read and write operations.

6. What is the maximum data retention period of the S29GL512P11FAI010 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL512P11FAI010 flash memory is 20 years.

7. Is the S29GL512P11FAI010 flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512P11FAI010 flash memory is compatible with industrial temperature ranges.

8. What is the erase time for a sector of the S29GL512P11FAI010 flash memory?
The erase time for a sector of the S29GL512P11FAI010 flash memory is 2 milliseconds.

9. Can the S29GL512P11FAI010 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL512P11FAI010 flash memory can be used in automotive applications.

10. What is the maximum program/erase cycle endurance of the S29GL512P11FAI010 flash memory?
The maximum program/erase cycle endurance of the S29GL512P11FAI010 flash memory is 100,000 cycles.

S29GL512P11FAI010 Связанные ключевые слова

S29GL512P11FAI010 Цена

S29GL512P11FAI010 Техническая спецификация

S29GL512P11FAI010 Картина

S29GL512P11FAI010 PDF

S29GL512P11FAI010 Технические характеристики

S29GL512P11FAI010 Напряжение на выводе

S29GL512P11FAI010 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.