S29GL512P11TFIV10 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP

Интегральные схемы (ИС) 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Номер производителя:

S29GL512P11TFIV10

Производитель:

Cypress Semiconductor Corp

Категория продукции:

объем памяти

Описание:

IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

S29GL512P11TFIV10 Таблицы данных(PDF)

Access Time :

110ns

Clock Frequency :

Memory Format :

Flash

Memory Interface :

Parallel

Memory Size :

512Mb (32M x 16)

Memory Type :

Non-Volatile

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-40°C ~ 85°C (TA)

Package / Case :

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Packaging :

Tray

Part Status :

Obsolete

Series :

GL-P

Supplier Device Package :

56-TSOP (14x20)

Technology :

FLASH - NOR

Voltage - Supply :

1.65 V ~ 3.6 V

Write Cycle Time - Word, Page :

110ns

в наличии

51,908

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

S29GL512P11TFIV10 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL512P11TFIV10 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc S29GL512P11TFIV10. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на S29GL512P11TFIV10. Нажмите, чтобы получить предложение

S29GL512P11TFIV10 Особенности

S29GL512P11TFIV10 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tray is its most common packaging method, which belongs to the GL-P series, using 56-TSOP (14x20), 1.65 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.

S29GL512P11TFIV10 Подробная информация о продукции

S29GL512P11TFIV10 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512P11TFIV10 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512P11TFIV10 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512P11TFIV10 (PDF), цена S29GL512P11TFIV10, Распиновка S29GL512P11TFIV10, руководство S29GL512P11TFIV10 и решение на замену S29GL512P11TFIV10.

S29GL512P11TFIV10 FAQ

1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512P11TFIV10 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512P11TFIV10 flash memory is 66 MHz.

2. What is the voltage range for the S29GL512P11TFIV10 flash memory?
The voltage range for the S29GL512P11TFIV10 flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the S29GL512P11TFIV10 flash memory be operated in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the S29GL512P11TFIV10 flash memory can be operated in both synchronous and asynchronous modes.

4. What is the typical power consumption of the S29GL512P11TFIV10 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512P11TFIV10 flash memory during read operations is 50 mA.

5. Does the S29GL512P11TFIV10 flash memory support hardware data protection features?
Yes, the S29GL512P11TFIV10 flash memory supports hardware data protection features.

6. What is the maximum data transfer rate of the S29GL512P11TFIV10 flash memory?
The maximum data transfer rate of the S29GL512P11TFIV10 flash memory is 33 MB/s.

7. Is the S29GL512P11TFIV10 flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512P11TFIV10 flash memory is compatible with industrial temperature ranges.

8. What are the available package options for the S29GL512P11TFIV10 flash memory?
The available package options for the S29GL512P11TFIV10 flash memory include TSOP and BGA packages.

9. Can the S29GL512P11TFIV10 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL512P11TFIV10 flash memory can be used in automotive applications.

10. What is the maximum program/erase cycle endurance of the S29GL512P11TFIV10 flash memory?
The maximum program/erase cycle endurance of the S29GL512P11TFIV10 flash memory is 100,000 cycles.

S29GL512P11TFIV10 Связанные ключевые слова

S29GL512P11TFIV10 Цена

S29GL512P11TFIV10 Техническая спецификация

S29GL512P11TFIV10 Картина

S29GL512P11TFIV10 PDF

S29GL512P11TFIV10 Технические характеристики

S29GL512P11TFIV10 Напряжение на выводе

S29GL512P11TFIV10 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.