S29GL512S11FAIV13 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 110NS 64BGA

Интегральные схемы (ИС) 64-LBGA

Номер производителя:

S29GL512S11FAIV13

Производитель:

Cypress Semiconductor Corp

Категория продукции:

объем памяти

Описание:

IC FLASH 512MBIT 110NS 64BGA

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

S29GL512S11FAIV13 Таблицы данных(PDF)

Access Time :

110ns

Clock Frequency :

Memory Format :

Flash

Memory Interface :

Parallel

Memory Size :

512Mb (32M x 16)

Memory Type :

Non-Volatile

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-40°C ~ 85°C (TA)

Package / Case :

64-LBGA

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Series :

GL-S

Supplier Device Package :

64-Fortified BGA (13x11)

Technology :

FLASH - NOR

Voltage - Supply :

1.65 V ~ 3.6 V

Write Cycle Time - Word, Page :

60ns

в наличии

59,200

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

S29GL512S11FAIV13 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL512S11FAIV13 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc S29GL512S11FAIV13. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на S29GL512S11FAIV13. Нажмите, чтобы получить предложение

S29GL512S11FAIV13 Особенности

S29GL512S11FAIV13 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 64-LBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the GL-S series, using 64-Fortified BGA (13x11), 1.65 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.

S29GL512S11FAIV13 Подробная информация о продукции

S29GL512S11FAIV13 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512S11FAIV13 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512S11FAIV13 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512S11FAIV13 (PDF), цена S29GL512S11FAIV13, Распиновка S29GL512S11FAIV13, руководство S29GL512S11FAIV13 и решение на замену S29GL512S11FAIV13.

S29GL512S11FAIV13 FAQ

1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512S11FAIV13 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512S11FAIV13 flash memory is 66 MHz.

2. What is the voltage range for the S29GL512S11FAIV13 flash memory?
The voltage range for the S29GL512S11FAIV13 flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the S29GL512S11FAIV13 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512S11FAIV13 flash memory can be operated in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the typical power consumption of the S29GL512S11FAIV13 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512S11FAIV13 flash memory during read operations is 30 mA.

5. Does the S29GL512S11FAIV13 flash memory support uniform block architecture?
Yes, the S29GL512S11FAIV13 flash memory supports uniform block architecture.

6. What is the maximum data retention period of the S29GL512S11FAIV13 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL512S11FAIV13 flash memory is 20 years.

7. Can the S29GL512S11FAIV13 flash memory be used for code execution?
Yes, the S29GL512S11FAIV13 flash memory can be used for code execution.

8. What are the available package options for the S29GL512S11FAIV13 flash memory?
The S29GL512S11FAIV13 flash memory is available in TSOP and BGA package options.

9. Is the S29GL512S11FAIV13 flash memory compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29GL512S11FAIV13 flash memory is compatible with standard flash memory interfaces.

10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512S11FAIV13 flash memory?
The maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512S11FAIV13 flash memory is 100,000 cycles.

S29GL512S11FAIV13 Связанные ключевые слова

S29GL512S11FAIV13 Цена

S29GL512S11FAIV13 Техническая спецификация

S29GL512S11FAIV13 Картина

S29GL512S11FAIV13 PDF

S29GL512S11FAIV13 Технические характеристики

S29GL512S11FAIV13 Напряжение на выводе

S29GL512S11FAIV13 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.