S29GL512S11TFIV23 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
Интегральные схемы (ИС) 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
S29GL512S11TFIV23
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
S29GL512S11TFIV23 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
110ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Mb (32M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
GL-S
Supplier Device Package :
56-TSOP
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
1.65 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
60ns
в наличии
15,778
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S29GL512S11TFIV23 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL512S11TFIV23 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc S29GL512S11TFIV23. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S29GL512S11TFIV23. Нажмите, чтобы получить предложение
S29GL512S11TFIV23 Особенности
S29GL512S11TFIV23 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the GL-S series, using 56-TSOP, 1.65 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
S29GL512S11TFIV23 Подробная информация о продукции
:
S29GL512S11TFIV23 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512S11TFIV23 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512S11TFIV23 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512S11TFIV23 (PDF), цена S29GL512S11TFIV23, Распиновка S29GL512S11TFIV23, руководство S29GL512S11TFIV23 и решение на замену S29GL512S11TFIV23.
S29GL512S11TFIV23 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512S11TFIV23 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512S11TFIV23 (PDF), цена S29GL512S11TFIV23, Распиновка S29GL512S11TFIV23, руководство S29GL512S11TFIV23 и решение на замену S29GL512S11TFIV23.
S29GL512S11TFIV23 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512S11TFIV23 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512S11TFIV23 flash memory is 66 MHz.
2. What is the typical power consumption of the S29GL512S11TFIV23 during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512S11TFIV23 during read operations is 50 mA.
3. Can the S29GL512S11TFIV23 operate at industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512S11TFIV23 is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the voltage requirements for programming the S29GL512S11TFIV23?
The voltage requirements for programming the S29GL512S11TFIV23 range from 2.7V to 3.6V.
5. Does the S29GL512S11TFIV23 support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512S11TFIV23 supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL512S11TFIV23?
The maximum data retention period of the S29GL512S11TFIV23 is 20 years.
7. Is the S29GL512S11TFIV23 compatible with common microcontrollers and processors?
Yes, the S29GL512S11TFIV23 is compatible with a wide range of microcontrollers and processors.
8. What is the erase time for the S29GL512S11TFIV23 using the chip erase method?
The erase time for the S29GL512S11TFIV23 using the chip erase method is typically 2 seconds.
9. Can the S29GL512S11TFIV23 withstand electrostatic discharge (ESD) events?
Yes, the S29GL512S11TFIV23 is designed to withstand electrostatic discharge (ESD) events up to 2000V.
10. What is the package type of the S29GL512S11TFIV23?
The S29GL512S11TFIV23 is available in a 56-ball Fortified BGA (FBGA) package.
The maximum operating frequency of the S29GL512S11TFIV23 flash memory is 66 MHz.
2. What is the typical power consumption of the S29GL512S11TFIV23 during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512S11TFIV23 during read operations is 50 mA.
3. Can the S29GL512S11TFIV23 operate at industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512S11TFIV23 is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the voltage requirements for programming the S29GL512S11TFIV23?
The voltage requirements for programming the S29GL512S11TFIV23 range from 2.7V to 3.6V.
5. Does the S29GL512S11TFIV23 support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512S11TFIV23 supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL512S11TFIV23?
The maximum data retention period of the S29GL512S11TFIV23 is 20 years.
7. Is the S29GL512S11TFIV23 compatible with common microcontrollers and processors?
Yes, the S29GL512S11TFIV23 is compatible with a wide range of microcontrollers and processors.
8. What is the erase time for the S29GL512S11TFIV23 using the chip erase method?
The erase time for the S29GL512S11TFIV23 using the chip erase method is typically 2 seconds.
9. Can the S29GL512S11TFIV23 withstand electrostatic discharge (ESD) events?
Yes, the S29GL512S11TFIV23 is designed to withstand electrostatic discharge (ESD) events up to 2000V.
10. What is the package type of the S29GL512S11TFIV23?
The S29GL512S11TFIV23 is available in a 56-ball Fortified BGA (FBGA) package.
S29GL512S11TFIV23 Связанные ключевые слова
:
S29GL512S11TFIV23 Цена
S29GL512S11TFIV23 Картина
S29GL512S11TFIV23 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S29G"
series
products
