WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. S29GL512T10DHI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
S29GL512T10DHI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
S29GL512T10DHI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA

S29GL512T10DHI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA

Интегральные схемы (ИС)     64-LBGA
Номер производителя:
S29GL512T10DHI010
Производитель:
Cypress Semiconductor Corp
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
S29GL512T10DHI010 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
100ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Mb (64M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
64-LBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Active
Series :
GL-T
Supplier Device Package :
64-FBGA (9x9)
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
60ns
в наличии
53,621
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

S29GL512T10DHI010 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL512T10DHI010 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc S29GL512T10DHI010. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на S29GL512T10DHI010. Нажмите, чтобы получить предложение
 

S29GL512T10DHI010 Особенности

S29GL512T10DHI010 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 64-LBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the GL-T series, using 64-FBGA (9x9), 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

S29GL512T10DHI010 Подробная информация о продукции

:
S29GL512T10DHI010 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512T10DHI010 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512T10DHI010 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512T10DHI010 (PDF), цена S29GL512T10DHI010, Распиновка S29GL512T10DHI010, руководство S29GL512T10DHI010 и решение на замену S29GL512T10DHI010.
  

S29GL512T10DHI010 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512T10DHI010 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512T10DHI010 flash memory is 100 MHz.

2. What is the voltage range for the S29GL512T10DHI010 flash memory?
The voltage range for the S29GL512T10DHI010 flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the S29GL512T10DHI010 flash memory be operated in industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512T10DHI010 flash memory is designed to operate in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the typical power consumption of the S29GL512T10DHI010 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512T10DHI010 flash memory during read operations is 50 mA.

5. Does the S29GL512T10DHI010 flash memory support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512T10DHI010 flash memory supports simultaneous read and write operations.

6. What is the maximum data retention period of the S29GL512T10DHI010 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL512T10DHI010 flash memory is 20 years.

7. Can the S29GL512T10DHI010 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL512T10DHI010 flash memory is suitable for use in automotive applications.

8. What are the available package options for the S29GL512T10DHI010 flash memory?
The S29GL512T10DHI010 flash memory is available in TSOP and BGA package options.

9. Is the S29GL512T10DHI010 flash memory compatible with standard microcontroller interfaces?
Yes, the S29GL512T10DHI010 flash memory is compatible with standard microcontroller interfaces such as SPI and parallel interfaces.

10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512T10DHI010 flash memory?
The S29GL512T10DHI010 flash memory has a maximum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles.
  

S29GL512T10DHI010 Связанные ключевые слова

:
S29GL512T10DHI010 Цена
S29GL512T10DHI010 Техническая спецификация
S29GL512T10DHI010 Картина
S29GL512T10DHI010 PDF
S29GL512T10DHI010 Технические характеристики
S29GL512T10DHI010 Напряжение на выводе
S29GL512T10DHI010 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "S29G" series products