S29GL512T10FHI030 Cypress Semiconductor Corp NOR
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
S29GL512T10FHI030
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
NOR
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
-
Memory Interface :
-
Memory Size :
-
Memory Type :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Active
Series :
Supplier Device Package :
-
Technology :
-
Voltage - Supply :
-
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
26,006
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S29GL512T10FHI030 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL512T10FHI030 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc S29GL512T10FHI030. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S29GL512T10FHI030. Нажмите, чтобы получить предложение
S29GL512T10FHI030 Особенности
S29GL512T10FHI030 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -, the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the series, using -, - is the most suitable voltage.
S29GL512T10FHI030 Подробная информация о продукции
:
S29GL512T10FHI030 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512T10FHI030 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512T10FHI030 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512T10FHI030 (PDF), цена S29GL512T10FHI030, Распиновка S29GL512T10FHI030, руководство S29GL512T10FHI030 и решение на замену S29GL512T10FHI030.
S29GL512T10FHI030 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512T10FHI030 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512T10FHI030 (PDF), цена S29GL512T10FHI030, Распиновка S29GL512T10FHI030, руководство S29GL512T10FHI030 и решение на замену S29GL512T10FHI030.
S29GL512T10FHI030 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512T10FHI030 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512T10FHI030 flash memory is 100 MHz.
2. What is the typical power consumption of the S29GL512T10FHI030 during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512T10FHI030 during read operations is 50 mA.
3. Can the S29GL512T10FHI030 operate at industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512T10FHI030 is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the voltage requirements for programming the S29GL512T10FHI030?
The voltage requirements for programming the S29GL512T10FHI030 are VCC = 2.7-3.6V and VPP = 12V.
5. Does the S29GL512T10FHI030 support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512T10FHI030 supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL512T10FHI030?
The maximum data retention period of the S29GL512T10FHI030 is 20 years.
7. Is the S29GL512T10FHI030 compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29GL512T10FHI030 is compatible with standard flash memory interfaces such as parallel NOR Flash.
8. What is the erase time for the S29GL512T10FHI030?
The erase time for the S29GL512T10FHI030 is typically 2 seconds per sector.
9. Can the S29GL512T10FHI030 be used in automotive applications?
Yes, the S29GL512T10FHI030 is suitable for use in automotive applications.
10. What is the maximum program/erase cycle endurance of the S29GL512T10FHI030?
The maximum program/erase cycle endurance of the S29GL512T10FHI030 is 100,000 cycles.
The maximum operating frequency of the S29GL512T10FHI030 flash memory is 100 MHz.
2. What is the typical power consumption of the S29GL512T10FHI030 during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512T10FHI030 during read operations is 50 mA.
3. Can the S29GL512T10FHI030 operate at industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512T10FHI030 is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the voltage requirements for programming the S29GL512T10FHI030?
The voltage requirements for programming the S29GL512T10FHI030 are VCC = 2.7-3.6V and VPP = 12V.
5. Does the S29GL512T10FHI030 support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512T10FHI030 supports simultaneous read and write operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL512T10FHI030?
The maximum data retention period of the S29GL512T10FHI030 is 20 years.
7. Is the S29GL512T10FHI030 compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29GL512T10FHI030 is compatible with standard flash memory interfaces such as parallel NOR Flash.
8. What is the erase time for the S29GL512T10FHI030?
The erase time for the S29GL512T10FHI030 is typically 2 seconds per sector.
9. Can the S29GL512T10FHI030 be used in automotive applications?
Yes, the S29GL512T10FHI030 is suitable for use in automotive applications.
10. What is the maximum program/erase cycle endurance of the S29GL512T10FHI030?
The maximum program/erase cycle endurance of the S29GL512T10FHI030 is 100,000 cycles.
S29GL512T10FHI030 Связанные ключевые слова
:
S29GL512T10FHI030 Цена
S29GL512T10FHI030 Картина
S29GL512T10FHI030 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S29G"
series
products
