S29GL512T11DHB010 Cypress Semiconductor Corp NOR
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
S29GL512T11DHB010
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
NOR
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
S29GL512T11DHB010 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
-
Memory Interface :
-
Memory Size :
-
Memory Type :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Active
Series :
Supplier Device Package :
-
Technology :
-
Voltage - Supply :
-
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
16,376
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S29GL512T11DHB010 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29GL512T11DHB010 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc S29GL512T11DHB010. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S29GL512T11DHB010. Нажмите, чтобы получить предложение
S29GL512T11DHB010 Особенности
S29GL512T11DHB010 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -, the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the series, using -, - is the most suitable voltage.
S29GL512T11DHB010 Подробная информация о продукции
:
S29GL512T11DHB010 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512T11DHB010 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512T11DHB010 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512T11DHB010 (PDF), цена S29GL512T11DHB010, Распиновка S29GL512T11DHB010, руководство S29GL512T11DHB010 и решение на замену S29GL512T11DHB010.
S29GL512T11DHB010 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29GL512T11DHB010 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29GL512T11DHB010 (PDF), цена S29GL512T11DHB010, Распиновка S29GL512T11DHB010, руководство S29GL512T11DHB010 и решение на замену S29GL512T11DHB010.
S29GL512T11DHB010 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512T11DHB010 flash memory is 66 MHz.
2. What is the voltage range for the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The voltage range for the S29GL512T11DHB010 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the S29GL512T11DHB010 flash memory be operated in both parallel and serial modes?
Yes, the S29GL512T11DHB010 flash memory can be operated in both parallel and serial modes.
4. What is the typical power consumption of the S29GL512T11DHB010 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512T11DHB010 flash memory during read operations is 50 mA.
5. Does the S29GL512T11DHB010 flash memory support hardware and software data protection features?
Yes, the S29GL512T11DHB010 flash memory supports hardware and software data protection features.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL512T11DHB010 flash memory is 20 years.
7. Is the S29GL512T11DHB010 flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512T11DHB010 flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
8. What are the available package options for the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The available package options for the S29GL512T11DHB010 flash memory include TSOP and BGA packages.
9. Can the S29GL512T11DHB010 flash memory perform in-system programming (ISP)?
Yes, the S29GL512T11DHB010 flash memory can perform in-system programming (ISP).
10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512T11DHB010 flash memory is 100,000 cycles.
The maximum operating frequency of the S29GL512T11DHB010 flash memory is 66 MHz.
2. What is the voltage range for the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The voltage range for the S29GL512T11DHB010 flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the S29GL512T11DHB010 flash memory be operated in both parallel and serial modes?
Yes, the S29GL512T11DHB010 flash memory can be operated in both parallel and serial modes.
4. What is the typical power consumption of the S29GL512T11DHB010 flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S29GL512T11DHB010 flash memory during read operations is 50 mA.
5. Does the S29GL512T11DHB010 flash memory support hardware and software data protection features?
Yes, the S29GL512T11DHB010 flash memory supports hardware and software data protection features.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The maximum data retention period of the S29GL512T11DHB010 flash memory is 20 years.
7. Is the S29GL512T11DHB010 flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512T11DHB010 flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
8. What are the available package options for the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The available package options for the S29GL512T11DHB010 flash memory include TSOP and BGA packages.
9. Can the S29GL512T11DHB010 flash memory perform in-system programming (ISP)?
Yes, the S29GL512T11DHB010 flash memory can perform in-system programming (ISP).
10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512T11DHB010 flash memory?
The maximum erase and program cycle endurance of the S29GL512T11DHB010 flash memory is 100,000 cycles.
S29GL512T11DHB010 Связанные ключевые слова
:
S29GL512T11DHB010 Цена
S29GL512T11DHB010 Картина
S29GL512T11DHB010 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S29G"
series
products
