S29WS512R0SBHW200E Cypress Semiconductor Corp IC FLASH NOR 84FBGA
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
S29WS512R0SBHW200E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH NOR 84FBGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
80ns
Clock Frequency :
104MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Mb (32M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-25°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Obsolete
Series :
WS-R
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
60ns
в наличии
49,588
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S29WS512R0SBHW200E Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S29WS512R0SBHW200E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc S29WS512R0SBHW200E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S29WS512R0SBHW200E. Нажмите, чтобы получить предложение
S29WS512R0SBHW200E Особенности
S29WS512R0SBHW200E is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -25°C ~ 85°C (TA), the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the WS-R series, using -, 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
S29WS512R0SBHW200E Подробная информация о продукции
:
S29WS512R0SBHW200E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S29WS512R0SBHW200E производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29WS512R0SBHW200E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29WS512R0SBHW200E (PDF), цена S29WS512R0SBHW200E, Распиновка S29WS512R0SBHW200E, руководство S29WS512R0SBHW200E и решение на замену S29WS512R0SBHW200E.
S29WS512R0SBHW200E производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S29WS512R0SBHW200E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S29WS512R0SBHW200E (PDF), цена S29WS512R0SBHW200E, Распиновка S29WS512R0SBHW200E, руководство S29WS512R0SBHW200E и решение на замену S29WS512R0SBHW200E.
S29WS512R0SBHW200E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29WS512R0SBHW200E flash memory?
The maximum operating frequency of the S29WS512R0SBHW200E flash memory is 104 MHz.
2. Can the S29WS512R0SBHW200E operate at different voltage levels?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E can operate at both 3.0V and 3.3V voltage levels.
3. What is the typical access time of the S29WS512R0SBHW200E flash memory?
The typical access time of the S29WS512R0SBHW200E flash memory is 90 ns.
4. Does the S29WS512R0SBHW200E support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E supports simultaneous read and write operations.
5. What is the maximum data retention period of the S29WS512R0SBHW200E?
The maximum data retention period of the S29WS512R0SBHW200E is 20 years.
6. Can the S29WS512R0SBHW200E withstand high temperatures?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E can withstand high temperatures up to 125°C.
7. Is the S29WS512R0SBHW200E compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E is compatible with standard flash memory interfaces such as SPI and parallel interfaces.
8. What is the size of the S29WS512R0SBHW200E's erase block?
The S29WS512R0SBHW200E has a 128K-byte erase block size.
9. Can the S29WS512R0SBHW200E be used in automotive applications?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E is suitable for use in automotive applications.
10. Does the S29WS512R0SBHW200E have built-in error correction capabilities?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E features built-in error correction capabilities for reliable data storage.
The maximum operating frequency of the S29WS512R0SBHW200E flash memory is 104 MHz.
2. Can the S29WS512R0SBHW200E operate at different voltage levels?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E can operate at both 3.0V and 3.3V voltage levels.
3. What is the typical access time of the S29WS512R0SBHW200E flash memory?
The typical access time of the S29WS512R0SBHW200E flash memory is 90 ns.
4. Does the S29WS512R0SBHW200E support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E supports simultaneous read and write operations.
5. What is the maximum data retention period of the S29WS512R0SBHW200E?
The maximum data retention period of the S29WS512R0SBHW200E is 20 years.
6. Can the S29WS512R0SBHW200E withstand high temperatures?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E can withstand high temperatures up to 125°C.
7. Is the S29WS512R0SBHW200E compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E is compatible with standard flash memory interfaces such as SPI and parallel interfaces.
8. What is the size of the S29WS512R0SBHW200E's erase block?
The S29WS512R0SBHW200E has a 128K-byte erase block size.
9. Can the S29WS512R0SBHW200E be used in automotive applications?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E is suitable for use in automotive applications.
10. Does the S29WS512R0SBHW200E have built-in error correction capabilities?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E features built-in error correction capabilities for reliable data storage.
S29WS512R0SBHW200E Связанные ключевые слова
:
S29WS512R0SBHW200E Цена
S29WS512R0SBHW200E Картина
S29WS512R0SBHW200E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S29W"
series
products
