S34MS01G200TFI003 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP
Интегральные схемы (ИС) 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
S34MS01G200TFI003
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
S34MS01G200TFI003 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
45ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Gb (128M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
MS-2
Supplier Device Package :
48-TSOP I
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
45ns
в наличии
39,533
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
S34MS01G200TFI003 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S34MS01G200TFI003 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc S34MS01G200TFI003. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на S34MS01G200TFI003. Нажмите, чтобы получить предложение
S34MS01G200TFI003 Особенности
S34MS01G200TFI003 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the MS-2 series, using 48-TSOP I, 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
S34MS01G200TFI003 Подробная информация о продукции
:
S34MS01G200TFI003 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cypress Semiconductor Corp.
S34MS01G200TFI003 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S34MS01G200TFI003 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S34MS01G200TFI003 (PDF), цена S34MS01G200TFI003, Распиновка S34MS01G200TFI003, руководство S34MS01G200TFI003 и решение на замену S34MS01G200TFI003.
S34MS01G200TFI003 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S34MS01G200TFI003 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S34MS01G200TFI003 (PDF), цена S34MS01G200TFI003, Распиновка S34MS01G200TFI003, руководство S34MS01G200TFI003 и решение на замену S34MS01G200TFI003.
S34MS01G200TFI003 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory?
The maximum operating frequency of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory is 100MHz.
2. What is the typical power consumption of the S34MS01G200TFI003 during read operations?
The typical power consumption of the S34MS01G200TFI003 during read operations is 25mA.
3. Can the S34MS01G200TFI003 operate at extended temperature ranges?
Yes, the S34MS01G200TFI003 can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the data retention period of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory?
The data retention period of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory is 10 years.
5. Does the S34MS01G200TFI003 support hardware data protection features?
Yes, the S34MS01G200TFI003 supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What are the available package options for the S34MS01G200TFI003?
The S34MS01G200TFI003 is available in a 48-ball BGA package and a 63-ball BGA package.
7. What is the page size of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory?
The page size of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory is 2KB.
8. Can the S34MS01G200TFI003 perform simultaneous read and program operations?
Yes, the S34MS01G200TFI003 can perform simultaneous read and program operations, allowing for efficient data management.
9. What is the erase time of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory?
The erase time of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory is typically 2ms.
10. Does the S34MS01G200TFI003 support multiple plane operations?
Yes, the S34MS01G200TFI003 supports multiple plane operations, enabling parallelism and improved performance.
The maximum operating frequency of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory is 100MHz.
2. What is the typical power consumption of the S34MS01G200TFI003 during read operations?
The typical power consumption of the S34MS01G200TFI003 during read operations is 25mA.
3. Can the S34MS01G200TFI003 operate at extended temperature ranges?
Yes, the S34MS01G200TFI003 can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the data retention period of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory?
The data retention period of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory is 10 years.
5. Does the S34MS01G200TFI003 support hardware data protection features?
Yes, the S34MS01G200TFI003 supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What are the available package options for the S34MS01G200TFI003?
The S34MS01G200TFI003 is available in a 48-ball BGA package and a 63-ball BGA package.
7. What is the page size of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory?
The page size of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory is 2KB.
8. Can the S34MS01G200TFI003 perform simultaneous read and program operations?
Yes, the S34MS01G200TFI003 can perform simultaneous read and program operations, allowing for efficient data management.
9. What is the erase time of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory?
The erase time of the S34MS01G200TFI003 NAND Flash memory is typically 2ms.
10. Does the S34MS01G200TFI003 support multiple plane operations?
Yes, the S34MS01G200TFI003 supports multiple plane operations, enabling parallelism and improved performance.
S34MS01G200TFI003 Связанные ключевые слова
:
S34MS01G200TFI003 Цена
S34MS01G200TFI003 Картина
S34MS01G200TFI003 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"S34M"
series
products
