WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. S34MS04G200BHI003 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA
S34MS04G200BHI003 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA
S34MS04G200BHI003 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA

S34MS04G200BHI003 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA

Интегральные схемы (ИС)     63-VFBGA
Номер производителя:
S34MS04G200BHI003
Производитель:
Cypress Semiconductor Corp
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
S34MS04G200BHI003 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
45ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
4Gb (512M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
63-VFBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
MS-2
Supplier Device Package :
63-BGA (11x9)
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
45ns
в наличии
51,130
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

S34MS04G200BHI003 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S34MS04G200BHI003 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc S34MS04G200BHI003. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на S34MS04G200BHI003. Нажмите, чтобы получить предложение
 

S34MS04G200BHI003 Особенности

S34MS04G200BHI003 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 63-VFBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the MS-2 series, using 63-BGA (11x9), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

S34MS04G200BHI003 Подробная информация о продукции

:
S34MS04G200BHI003 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Cypress Semiconductor Corp.
S34MS04G200BHI003 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S34MS04G200BHI003 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S34MS04G200BHI003 (PDF), цена S34MS04G200BHI003, Распиновка S34MS04G200BHI003, руководство S34MS04G200BHI003 и решение на замену S34MS04G200BHI003.
  

S34MS04G200BHI003 FAQ

:
1. What is the maximum capacity of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory?
The S34MS04G200BHI003 NAND flash memory has a maximum capacity of 4 gigabits.

2. What is the interface voltage for the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory?
The interface voltage for the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory is 1.8V.

3. What is the operating temperature range of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory?
The operating temperature range of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory is -40°C to 85°C.

4. What are the typical read and program times for the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory?
The typical read time for the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.

5. What is the erase block size of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory?
The erase block size of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory is 128 kilobytes.

6. Does the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory support random data access?
Yes, the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory supports random data access.

7. What is the maximum clock frequency supported by the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory is 50 MHz.

8. What is the package type of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory?
The package type of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory is a 63-ball BGA.

9. Can the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory be operated in multiple plane mode?
Yes, the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory can be operated in multiple plane mode.

10. What is the data retention period of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory?
The data retention period of the S34MS04G200BHI003 NAND flash memory is 10 years.
  

S34MS04G200BHI003 Связанные ключевые слова

:
S34MS04G200BHI003 Цена
S34MS04G200BHI003 Техническая спецификация
S34MS04G200BHI003 Картина
S34MS04G200BHI003 PDF
S34MS04G200BHI003 Технические характеристики
S34MS04G200BHI003 Напряжение на выводе
S34MS04G200BHI003 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "S34M" series products