WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. S34MS04G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA
S34MS04G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA
S34MS04G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA

S34MS04G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA

Интегральные схемы (ИС)     63-VFBGA
Номер производителя:
S34MS04G200BHI900
Производитель:
Cypress Semiconductor Corp
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 4GBIT 45NS 63BGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
S34MS04G200BHI900 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
45ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
4Gb (512M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
63-VFBGA
Packaging :
Tray
Part Status :
Active
Series :
MS-2
Supplier Device Package :
63-BGA (11x9)
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
45ns
в наличии
13,528
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

S34MS04G200BHI900 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить S34MS04G200BHI900 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc S34MS04G200BHI900. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на S34MS04G200BHI900. Нажмите, чтобы получить предложение
 

S34MS04G200BHI900 Особенности

S34MS04G200BHI900 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 63-VFBGA, and Tray is its most common packaging method, which belongs to the MS-2 series, using 63-BGA (11x9), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

S34MS04G200BHI900 Подробная информация о продукции

:
S34MS04G200BHI900 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Cypress Semiconductor Corp.
S34MS04G200BHI900 производства Cypress Semiconductor Corp можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
S34MS04G200BHI900 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных S34MS04G200BHI900 (PDF), цена S34MS04G200BHI900, Распиновка S34MS04G200BHI900, руководство S34MS04G200BHI900 и решение на замену S34MS04G200BHI900.
  

S34MS04G200BHI900 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the S34MS04G200BHI900 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the S34MS04G200BHI900 NAND flash memory is 108 MHz.

2. What is the typical power consumption of the S34MS04G200BHI900 during read operations?
The typical power consumption of the S34MS04G200BHI900 during read operations is 25 mA.

3. Can the S34MS04G200BHI900 operate at extended temperature ranges?
Yes, the S34MS04G200BHI900 is designed to operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the programming time for the S34MS04G200BHI900 NAND flash memory?
The programming time for the S34MS04G200BHI900 NAND flash memory is typically 2000 µs per page.

5. Does the S34MS04G200BHI900 support hardware data protection features?
Yes, the S34MS04G200BHI900 supports hardware data protection features such as block lock and OTP protection.

6. What is the maximum data transfer rate of the S34MS04G200BHI900 in burst mode?
The maximum data transfer rate of the S34MS04G200BHI900 in burst mode is 108 MB/s.

7. Can the S34MS04G200BHI900 be used in automotive applications?
Yes, the S34MS04G200BHI900 is qualified for automotive applications and meets AEC-Q100 requirements.

8. What is the typical erase time for the S34MS04G200BHI900 NAND flash memory?
The typical erase time for the S34MS04G200BHI900 NAND flash memory is 2 ms per block.

9. Does the S34MS04G200BHI900 support multiple plane operations?
Yes, the S34MS04G200BHI900 supports multiple plane operations for improved performance.

10. What is the maximum capacity of the S34MS04G200BHI900 NAND flash memory?
The maximum capacity of the S34MS04G200BHI900 NAND flash memory is 4 Gb.
  

S34MS04G200BHI900 Связанные ключевые слова

:
S34MS04G200BHI900 Цена
S34MS04G200BHI900 Техническая спецификация
S34MS04G200BHI900 Картина
S34MS04G200BHI900 PDF
S34MS04G200BHI900 Технические характеристики
S34MS04G200BHI900 Напряжение на выводе
S34MS04G200BHI900 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "S34M" series products