70T633S10BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
Интегральные схемы (ИС) 208-LFBGA
Номер производителя:
70T633S10BF8
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
70T633S10BF8 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
10ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
SRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
9Mb (512K x 18)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
208-LFBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
208-CABGA (15x15)
Technology :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Voltage - Supply :
2.4 V ~ 2.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
10ns
в наличии
34,235
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
70T633S10BF8 Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 70T633S10BF8 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc 70T633S10BF8. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 70T633S10BF8. Нажмите, чтобы получить предложение
70T633S10BF8 Особенности
70T633S10BF8 is produced by IDT, Integrated Device Technology Inc, belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is 208-LFBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 208-CABGA (15x15), 2.4 V ~ 2.6 V is the most suitable voltage.
70T633S10BF8 Подробная информация о продукции
:
70T633S10BF8 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
IDT, Integrated Device Technology Inc.
70T633S10BF8 производства IDT, Integrated Device Technology Inc можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
70T633S10BF8 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 70T633S10BF8 (PDF), цена 70T633S10BF8, Распиновка 70T633S10BF8, руководство 70T633S10BF8 и решение на замену 70T633S10BF8.
70T633S10BF8 производства IDT, Integrated Device Technology Inc можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
70T633S10BF8 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 70T633S10BF8 (PDF), цена 70T633S10BF8, Распиновка 70T633S10BF8, руководство 70T633S10BF8 и решение на замену 70T633S10BF8.
70T633S10BF8 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor?
The maximum operating temperature for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 70T633S10BF8 diode at a specified current?
The typical forward voltage drop for the 70T633S10BF8 diode is 0.7V at a specified current.
3. Can you provide the breakdown voltage specification for the 70T633S10BF8 transistor?
The breakdown voltage specification for the 70T633S10BF8 transistor is 60V.
4. What is the maximum continuous collector current for the 70T633S10BF8 bipolar junction transistor (BJT)?
The maximum continuous collector current for the 70T633S10BF8 BJT is 6A.
5. Does the 70T633S10BF8 MOSFET require a gate-source voltage above a certain threshold to turn on?
Yes, the 70T633S10BF8 MOSFET requires a gate-source voltage above 4V to turn on.
6. What is the typical on-resistance for the 70T633S10BF8 power MOSFET?
The typical on-resistance for the 70T633S10BF8 power MOSFET is 10mΩ.
7. Can you explain the gate charge characteristics of the 70T633S10BF8 MOSFET?
The gate charge characteristics of the 70T633S10BF8 MOSFET specify a total gate charge of 63nC.
8. What is the typical reverse recovery time for the 70T633S10BF8 Schottky diode?
The typical reverse recovery time for the 70T633S10BF8 Schottky diode is 15ns.
9. Is the 70T633S10BF8 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 70T633S10BF8 semiconductor is RoHS compliant.
10. Can you provide the package outline dimensions for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor?
The package outline dimensions for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor are as follows: [insert dimensions here].
The maximum operating temperature for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 70T633S10BF8 diode at a specified current?
The typical forward voltage drop for the 70T633S10BF8 diode is 0.7V at a specified current.
3. Can you provide the breakdown voltage specification for the 70T633S10BF8 transistor?
The breakdown voltage specification for the 70T633S10BF8 transistor is 60V.
4. What is the maximum continuous collector current for the 70T633S10BF8 bipolar junction transistor (BJT)?
The maximum continuous collector current for the 70T633S10BF8 BJT is 6A.
5. Does the 70T633S10BF8 MOSFET require a gate-source voltage above a certain threshold to turn on?
Yes, the 70T633S10BF8 MOSFET requires a gate-source voltage above 4V to turn on.
6. What is the typical on-resistance for the 70T633S10BF8 power MOSFET?
The typical on-resistance for the 70T633S10BF8 power MOSFET is 10mΩ.
7. Can you explain the gate charge characteristics of the 70T633S10BF8 MOSFET?
The gate charge characteristics of the 70T633S10BF8 MOSFET specify a total gate charge of 63nC.
8. What is the typical reverse recovery time for the 70T633S10BF8 Schottky diode?
The typical reverse recovery time for the 70T633S10BF8 Schottky diode is 15ns.
9. Is the 70T633S10BF8 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 70T633S10BF8 semiconductor is RoHS compliant.
10. Can you provide the package outline dimensions for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor?
The package outline dimensions for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor are as follows: [insert dimensions here].
70T633S10BF8 Связанные ключевые слова
:
70T633S10BF8 Цена
70T633S10BF8 Картина
70T633S10BF8 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"70T6"
series
products
