WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. 70T633S10BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
70T633S10BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
70T633S10BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA

70T633S10BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA

Интегральные схемы (ИС)     208-LFBGA
Номер производителя:
70T633S10BFI8
Производитель:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
70T633S10BFI8 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
10ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
SRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
9Mb (512K x 18)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
208-LFBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
208-CABGA (15x15)
Technology :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Voltage - Supply :
2.4 V ~ 2.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
10ns
в наличии
43,137
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

70T633S10BFI8 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 70T633S10BFI8 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc 70T633S10BFI8. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на 70T633S10BFI8. Нажмите, чтобы получить предложение
 

70T633S10BFI8 Особенности

70T633S10BFI8 is produced by IDT, Integrated Device Technology Inc, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 208-LFBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 208-CABGA (15x15), 2.4 V ~ 2.6 V is the most suitable voltage.
  

70T633S10BFI8 Подробная информация о продукции

:
70T633S10BFI8 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные IDT, Integrated Device Technology Inc.
70T633S10BFI8 производства IDT, Integrated Device Technology Inc можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
70T633S10BFI8 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 70T633S10BFI8 (PDF), цена 70T633S10BFI8, Распиновка 70T633S10BFI8, руководство 70T633S10BFI8 и решение на замену 70T633S10BFI8.
  

70T633S10BFI8 FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the 70T633S10BFI8 semiconductor?
The maximum operating temperature for the 70T633S10BFI8 semiconductor is 150°C.

2. What is the typical forward voltage drop for the 70T633S10BFI8 diode?
The typical forward voltage drop for the 70T633S10BFI8 diode is 0.7V.

3. Can the 70T633S10BFI8 handle high-frequency applications?
Yes, the 70T633S10BFI8 is suitable for high-frequency applications due to its low capacitance and fast switching characteristics.

4. What is the maximum continuous drain current for the 70T633S10BFI8 MOSFET?
The maximum continuous drain current for the 70T633S10BFI8 MOSFET is 70A.

5. Does the 70T633S10BFI8 require a heat sink for normal operation?
It is recommended to use a heat sink for the 70T633S10BFI8 when operating at high currents or in elevated ambient temperatures.

6. What is the typical gate threshold voltage for the 70T633S10BFI8 MOSFET?
The typical gate threshold voltage for the 70T633S10BFI8 MOSFET is 2.5V.

7. Is the 70T633S10BFI8 suitable for automotive applications?
Yes, the 70T633S10BFI8 is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.

8. What is the maximum reverse voltage for the 70T633S10BFI8 Schottky diode?
The maximum reverse voltage for the 70T633S10BFI8 Schottky diode is 100V.

9. Can the 70T633S10BFI8 be used in power factor correction circuits?
Yes, the 70T633S10BFI8 is well-suited for power factor correction circuits due to its fast recovery time and low conduction losses.

10. What is the typical on-resistance for the 70T633S10BFI8 power MOSFET?
The typical on-resistance for the 70T633S10BFI8 power MOSFET is 10mΩ.
  

70T633S10BFI8 Связанные ключевые слова

:
70T633S10BFI8 Цена
70T633S10BFI8 Техническая спецификация
70T633S10BFI8 Картина
70T633S10BFI8 PDF
70T633S10BFI8 Технические характеристики
70T633S10BFI8 Напряжение на выводе
70T633S10BFI8 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "70T6" series products