WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. IS61NVP25672-200B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SRAM 18MBIT 200MHZ 209PBGA
IS61NVP25672-200B1I-TR

IS61NVP25672-200B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SRAM 18MBIT 200MHZ 209PBGA

Интегральные схемы (ИС)     209-BGA
Номер производителя:
IS61NVP25672-200B1I-TR
Производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 209PBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IS61NVP25672-200B1I-TR Таблицы данных(PDF)
Access Time :
3.1ns
Clock Frequency :
200MHz
Memory Format :
SRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
18Mb (256K x 72)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
209-BGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
209-LFBGA (14x22)
Technology :
SRAM - Synchronous
Voltage - Supply :
2.375 V ~ 2.625 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
25,373
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IS61NVP25672-200B1I-TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IS61NVP25672-200B1I-TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc IS61NVP25672-200B1I-TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IS61NVP25672-200B1I-TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IS61NVP25672-200B1I-TR Особенности

IS61NVP25672-200B1I-TR is produced by ISSI, Integrated Silicon Solution Inc, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 209-BGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 209-LFBGA (14x22), 2.375 V ~ 2.625 V is the most suitable voltage.
  

IS61NVP25672-200B1I-TR Подробная информация о продукции

:
IS61NVP25672-200B1I-TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
IS61NVP25672-200B1I-TR производства ISSI, Integrated Silicon Solution Inc можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IS61NVP25672-200B1I-TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IS61NVP25672-200B1I-TR (PDF), цена IS61NVP25672-200B1I-TR, Распиновка IS61NVP25672-200B1I-TR, руководство IS61NVP25672-200B1I-TR и решение на замену IS61NVP25672-200B1I-TR.
  

IS61NVP25672-200B1I-TR FAQ

:
1. What is the operating voltage range for IS61NVP25672-200B1I-TR?
The operating voltage range for IS61NVP25672-200B1I-TR is 1.7V to 2.0V.

2. What is the maximum clock frequency supported by IS61NVP25672-200B1I-TR?
IS61NVP25672-200B1I-TR supports a maximum clock frequency of 200MHz.

3. Can IS61NVP25672-200B1I-TR operate in industrial temperature ranges?
Yes, IS61NVP25672-200B1I-TR is designed to operate in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the typical standby current for IS61NVP25672-200B1I-TR?
The typical standby current for IS61NVP25672-200B1I-TR is 5mA.

5. Does IS61NVP25672-200B1I-TR support burst read and write operations?
Yes, IS61NVP25672-200B1I-TR supports burst read and write operations for efficient data transfer.

6. What is the package type for IS61NVP25672-200B1I-TR?
IS61NVP25672-200B1I-TR is available in a 48-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.

7. Can IS61NVP25672-200B1I-TR be used in battery-powered devices?
Yes, IS61NVP25672-200B1I-TR's low operating voltage range makes it suitable for use in battery-powered devices.

8. What is the maximum capacity of IS61NVP25672-200B1I-TR?
IS61NVP25672-200B1I-TR has a maximum capacity of 256Mb (32M x 72).

9. Does IS61NVP25672-200B1I-TR support partial array self-refresh (PASR)?
Yes, IS61NVP25672-200B1I-TR supports partial array self-refresh (PASR) for power savings.

10. Is IS61NVP25672-200B1I-TR compatible with DDR SDRAM interfaces?
Yes, IS61NVP25672-200B1I-TR is compatible with DDR SDRAM interfaces for easy integration into existing systems.
  

IS61NVP25672-200B1I-TR Связанные ключевые слова

:
IS61NVP25672-200B1I-TR Цена
IS61NVP25672-200B1I-TR Техническая спецификация
IS61NVP25672-200B1I-TR Картина
IS61NVP25672-200B1I-TR PDF
IS61NVP25672-200B1I-TR Технические характеристики
IS61NVP25672-200B1I-TR Напряжение на выводе
IS61NVP25672-200B1I-TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IS61" series products