IXDD504SIAT/R IXYS IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
Интегральные схемы (ИС) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Номер производителя:
IXDD504SIAT/R
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IXDD504SIAT/R Таблицы данных(PDF)
Channel Type :
Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) :
4A, 4A
Driven Configuration :
Low-Side
Gate Type :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
-
Input Type :
Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Mounting Type :
Surface Mount
Number of Drivers :
2
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Rise / Fall Time (Typ) :
9ns, 8ns
Series :
-
Supplier Device Package :
8-SOIC
Voltage - Supply :
4.5 V ~ 30 V
в наличии
20,035
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IXDD504SIAT/R Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IXDD504SIAT/R более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc IXDD504SIAT/R. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IXDD504SIAT/R. Нажмите, чтобы получить предложение
IXDD504SIAT/R Особенности
IXDD504SIAT/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 8-SOIC, 4.5 V ~ 30 V is the most suitable voltage.
IXDD504SIAT/R Подробная информация о продукции
:
IXDD504SIAT/R — это PMIC - драйверы Gate, буферные усилители, разработанные и
произведенные
IXYS.
IXDD504SIAT/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IXDD504SIAT/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IXDD504SIAT/R (PDF), цена IXDD504SIAT/R, Распиновка IXDD504SIAT/R, руководство IXDD504SIAT/R и решение на замену IXDD504SIAT/R.
IXDD504SIAT/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IXDD504SIAT/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IXDD504SIAT/R (PDF), цена IXDD504SIAT/R, Распиновка IXDD504SIAT/R, руководство IXDD504SIAT/R и решение на замену IXDD504SIAT/R.
IXDD504SIAT/R FAQ
:
1. What is the maximum input voltage for the IXDD504SIAT/R?
The maximum input voltage for the IXDD504SIAT/R is 35 volts.
2. What is the typical input threshold voltage?
The typical input threshold voltage for the IXDD504SIAT/R is 2.5 volts.
3. What is the maximum output current for this device?
The maximum output current for the IXDD504SIAT/R is 4 amperes.
4. Can this device operate at high temperatures?
Yes, the IXDD504SIAT/R is designed to operate at high temperatures, with a maximum operating temperature of 125°C.
5. What is the typical propagation delay?
The typical propagation delay for the IXDD504SIAT/R is 22 nanoseconds.
6. Is the IXDD504SIAT/R suitable for driving MOSFETs?
Yes, the IXDD504SIAT/R is specifically designed for driving MOSFETs.
7. Does this device have built-in undervoltage lockout protection?
Yes, the IXDD504SIAT/R features built-in undervoltage lockout protection.
8. What is the maximum supply voltage for this device?
The maximum supply voltage for the IXDD504SIAT/R is 35 volts.
9. Can this device be used in automotive applications?
Yes, the IXDD504SIAT/R is suitable for use in automotive applications.
10. What is the typical output rise and fall time?
The typical output rise and fall time for the IXDD504SIAT/R is 15 nanoseconds.
The maximum input voltage for the IXDD504SIAT/R is 35 volts.
2. What is the typical input threshold voltage?
The typical input threshold voltage for the IXDD504SIAT/R is 2.5 volts.
3. What is the maximum output current for this device?
The maximum output current for the IXDD504SIAT/R is 4 amperes.
4. Can this device operate at high temperatures?
Yes, the IXDD504SIAT/R is designed to operate at high temperatures, with a maximum operating temperature of 125°C.
5. What is the typical propagation delay?
The typical propagation delay for the IXDD504SIAT/R is 22 nanoseconds.
6. Is the IXDD504SIAT/R suitable for driving MOSFETs?
Yes, the IXDD504SIAT/R is specifically designed for driving MOSFETs.
7. Does this device have built-in undervoltage lockout protection?
Yes, the IXDD504SIAT/R features built-in undervoltage lockout protection.
8. What is the maximum supply voltage for this device?
The maximum supply voltage for the IXDD504SIAT/R is 35 volts.
9. Can this device be used in automotive applications?
Yes, the IXDD504SIAT/R is suitable for use in automotive applications.
10. What is the typical output rise and fall time?
The typical output rise and fall time for the IXDD504SIAT/R is 15 nanoseconds.
IXDD504SIAT/R Связанные ключевые слова
:
IXDD504SIAT/R Цена
IXDD504SIAT/R Картина
IXDD504SIAT/R Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IXDD"
series
products
