M29F010B70N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 1MBIT 70NS 32TSOP
Интегральные схемы (ИС) 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
M29F010B70N6E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1MBIT 70NS 32TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
70ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Mb (128K x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tray
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
32-TSOP (8x20)
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
4.5 V ~ 5.5 V
Write Cycle Time - Word, Page :
70ns
в наличии
63,418
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
M29F010B70N6E Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить M29F010B70N6E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc M29F010B70N6E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на M29F010B70N6E. Нажмите, чтобы получить предложение
M29F010B70N6E Особенности
M29F010B70N6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 32-TSOP (8x20), 4.5 V ~ 5.5 V is the most suitable voltage.
M29F010B70N6E Подробная информация о продукции
:
M29F010B70N6E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
M29F010B70N6E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
M29F010B70N6E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных M29F010B70N6E (PDF), цена M29F010B70N6E, Распиновка M29F010B70N6E, руководство M29F010B70N6E и решение на замену M29F010B70N6E.
M29F010B70N6E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
M29F010B70N6E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных M29F010B70N6E (PDF), цена M29F010B70N6E, Распиновка M29F010B70N6E, руководство M29F010B70N6E и решение на замену M29F010B70N6E.
M29F010B70N6E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the M29F010B70N6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29F010B70N6E flash memory is 33 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F010B70N6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F010B70N6E during read operations is 25 mA.
3. Can the M29F010B70N6E operate at extended temperature ranges?
Yes, the M29F010B70N6E can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the programming voltage range for the M29F010B70N6E?
The programming voltage range for the M29F010B70N6E is 4.5V to 5.5V.
5. Does the M29F010B70N6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29F010B70N6E supports in-system programming (ISP) for convenient updates.
6. What are the available package options for the M29F010B70N6E?
The M29F010B70N6E is available in a 32-lead TSOP and a 32-ball TFBGA package.
7. What is the erase time for the M29F010B70N6E flash memory?
The erase time for the M29F010B70N6E flash memory is typically 10 seconds.
8. Can the M29F010B70N6E withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the M29F010B70N6E can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
9. What is the data retention period for the M29F010B70N6E?
The data retention period for the M29F010B70N6E is guaranteed for 20 years.
10. Is the M29F010B70N6E compatible with standard microcontroller interfaces?
Yes, the M29F010B70N6E is compatible with standard microcontroller interfaces such as SPI and parallel interface.
The maximum operating frequency of the M29F010B70N6E flash memory is 33 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F010B70N6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F010B70N6E during read operations is 25 mA.
3. Can the M29F010B70N6E operate at extended temperature ranges?
Yes, the M29F010B70N6E can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the programming voltage range for the M29F010B70N6E?
The programming voltage range for the M29F010B70N6E is 4.5V to 5.5V.
5. Does the M29F010B70N6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29F010B70N6E supports in-system programming (ISP) for convenient updates.
6. What are the available package options for the M29F010B70N6E?
The M29F010B70N6E is available in a 32-lead TSOP and a 32-ball TFBGA package.
7. What is the erase time for the M29F010B70N6E flash memory?
The erase time for the M29F010B70N6E flash memory is typically 10 seconds.
8. Can the M29F010B70N6E withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the M29F010B70N6E can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
9. What is the data retention period for the M29F010B70N6E?
The data retention period for the M29F010B70N6E is guaranteed for 20 years.
10. Is the M29F010B70N6E compatible with standard microcontroller interfaces?
Yes, the M29F010B70N6E is compatible with standard microcontroller interfaces such as SPI and parallel interface.
M29F010B70N6E Связанные ключевые слова
:
M29F010B70N6E Цена
M29F010B70N6E Картина
M29F010B70N6E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"M29F"
series
products