WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. M29F200FB55N3F2 TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2MBIT 55NS 48TSOP
M29F200FB55N3F2 TR

M29F200FB55N3F2 TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2MBIT 55NS 48TSOP

Интегральные схемы (ИС)     48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
M29F200FB55N3F2 TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 2MBIT 55NS 48TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
M29F200FB55N3F2 TR Таблицы данных(PDF)
Access Time :
55ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Mb (256K x 8, 128K x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C (TA)
Package / Case :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
48-TSOP
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
4.5 V ~ 5.5 V
Write Cycle Time - Word, Page :
55ns
в наличии
41,317
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

M29F200FB55N3F2 TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить M29F200FB55N3F2 TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc M29F200FB55N3F2 TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на M29F200FB55N3F2 TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

M29F200FB55N3F2 TR Особенности

M29F200FB55N3F2 TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 125°C (TA), the size is 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 48-TSOP, 4.5 V ~ 5.5 V is the most suitable voltage.
  

M29F200FB55N3F2 TR Подробная информация о продукции

:
M29F200FB55N3F2 TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
M29F200FB55N3F2 TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
M29F200FB55N3F2 TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных M29F200FB55N3F2 TR (PDF), цена M29F200FB55N3F2 TR, Распиновка M29F200FB55N3F2 TR, руководство M29F200FB55N3F2 TR и решение на замену M29F200FB55N3F2 TR.
  

M29F200FB55N3F2 TR FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the M29F200FB55N3F2 TR flash memory?
The maximum operating frequency of the M29F200FB55N3F2 TR flash memory is 55 MHz.

2. What is the voltage range for the input/output buffers of the M29F200FB55N3F2 TR?
The voltage range for the input/output buffers of the M29F200FB55N3F2 TR is 2.7V to 3.6V.

3. Can the M29F200FB55N3F2 TR operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the M29F200FB55N3F2 TR can operate in both synchronous and asynchronous modes.

4. What is the typical standby current consumption of the M29F200FB55N3F2 TR?
The typical standby current consumption of the M29F200FB55N3F2 TR is 10 µA.

5. Does the M29F200FB55N3F2 TR support software data protection features?
Yes, the M29F200FB55N3F2 TR supports software data protection features.

6. What is the maximum data retention period of the M29F200FB55N3F2 TR at 125°C?
The maximum data retention period of the M29F200FB55N3F2 TR at 125°C is 20 years.

7. Is the M29F200FB55N3F2 TR compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the M29F200FB55N3F2 TR is compatible with standard flash memory interfaces.

8. What is the erase/program cycle endurance of the M29F200FB55N3F2 TR?
The erase/program cycle endurance of the M29F200FB55N3F2 TR is 100,000 cycles.

9. Can the M29F200FB55N3F2 TR withstand industrial temperature ranges?
Yes, the M29F200FB55N3F2 TR can withstand industrial temperature ranges.

10. What are the package options available for the M29F200FB55N3F2 TR?
The M29F200FB55N3F2 TR is available in TSOP48 and SO44 package options.
  

M29F200FB55N3F2 TR Связанные ключевые слова

:
M29F200FB55N3F2 TR Цена
M29F200FB55N3F2 TR Техническая спецификация
M29F200FB55N3F2 TR Картина
M29F200FB55N3F2 TR PDF
M29F200FB55N3F2 TR Технические характеристики
M29F200FB55N3F2 TR Напряжение на выводе
M29F200FB55N3F2 TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "M29F" series products