WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. M29W400DB55N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP
M29W400DB55N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP
M29W400DB55N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP

M29W400DB55N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP

Интегральные схемы (ИС)     48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Номер производителя:
M29W400DB55N6E
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
M29W400DB55N6E Таблицы данных(PDF)
Access Time :
55ns
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
4Mb (512K x 8, 256K x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging :
Tray
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
48-TSOP
Technology :
FLASH - NOR
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
55ns
в наличии
15,951
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

M29W400DB55N6E Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить M29W400DB55N6E более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc M29W400DB55N6E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на M29W400DB55N6E. Нажмите, чтобы получить предложение
 

M29W400DB55N6E Особенности

M29W400DB55N6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), and Tray is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 48-TSOP, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

M29W400DB55N6E Подробная информация о продукции

:
M29W400DB55N6E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
M29W400DB55N6E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
M29W400DB55N6E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных M29W400DB55N6E (PDF), цена M29W400DB55N6E, Распиновка M29W400DB55N6E, руководство M29W400DB55N6E и решение на замену M29W400DB55N6E.
  

M29W400DB55N6E FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the M29W400DB55N6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29W400DB55N6E flash memory is 50 MHz.

2. What is the voltage range for the M29W400DB55N6E flash memory?
The voltage range for the M29W400DB55N6E flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the M29W400DB55N6E flash memory be operated in a wide temperature range?
Yes, the M29W400DB55N6E flash memory can be operated in a wide temperature range from -40°C to 85°C.

4. What is the typical access time of the M29W400DB55N6E flash memory?
The typical access time of the M29W400DB55N6E flash memory is 90 ns.

5. Does the M29W400DB55N6E support software and hardware data protection features?
Yes, the M29W400DB55N6E supports both software and hardware data protection features.

6. What are the available package options for the M29W400DB55N6E flash memory?
The M29W400DB55N6E flash memory is available in TSOP48 and BGA63 packages.

7. Is the M29W400DB55N6E compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the M29W400DB55N6E is compatible with standard flash memory interfaces such as parallel and serial interfaces.

8. What is the maximum data retention period of the M29W400DB55N6E flash memory?
The maximum data retention period of the M29W400DB55N6E flash memory is 20 years.

9. Can the M29W400DB55N6E flash memory be used in automotive applications?
Yes, the M29W400DB55N6E flash memory is suitable for use in automotive applications.

10. Does the M29W400DB55N6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29W400DB55N6E supports in-system programming (ISP) for easy firmware updates.
  

M29W400DB55N6E Связанные ключевые слова

:
M29W400DB55N6E Цена
M29W400DB55N6E Техническая спецификация
M29W400DB55N6E Картина
M29W400DB55N6E PDF
M29W400DB55N6E Технические характеристики
M29W400DB55N6E Напряжение на выводе
M29W400DB55N6E Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "M29W" series products