MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1.5TBIT 132VBGA
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1.5TBIT 132VBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1.5Tb (192G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.5 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
16,299
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Особенности
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.5 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Подробная информация о продукции
:
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR (PDF), цена MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR, Распиновка MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR, руководство MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR и решение на замену MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR (PDF), цена MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR, Распиновка MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR, руководство MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR и решение на замену MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR?
The maximum operating temperature for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 85°C.
2. What is the storage temperature range for this semiconductor?
The storage temperature range for this semiconductor is -55°C to 100°C.
3. What is the typical power consumption of the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR?
The typical power consumption of the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 1.2V ± 0.06V.
4. Can you provide the data transfer rate for this semiconductor?
The data transfer rate for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 2666 Mbps.
5. What is the package type for this semiconductor?
The package type for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is a 96-ball BGA.
6. Is this semiconductor RoHS compliant?
Yes, the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is RoHS compliant.
7. What is the recommended voltage for input/output buffer (VDDQ) for this semiconductor?
The recommended voltage for input/output buffer (VDDQ) for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 1.2V.
8. Can you provide the refresh count for this semiconductor?
The refresh count for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 8K.
9. What is the CAS latency for this semiconductor?
The CAS latency for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is CL = 19.
10. Does this semiconductor support ECC (Error-Correction Code)?
Yes, the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR supports ECC (Error-Correction Code).
The maximum operating temperature for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 85°C.
2. What is the storage temperature range for this semiconductor?
The storage temperature range for this semiconductor is -55°C to 100°C.
3. What is the typical power consumption of the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR?
The typical power consumption of the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 1.2V ± 0.06V.
4. Can you provide the data transfer rate for this semiconductor?
The data transfer rate for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 2666 Mbps.
5. What is the package type for this semiconductor?
The package type for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is a 96-ball BGA.
6. Is this semiconductor RoHS compliant?
Yes, the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is RoHS compliant.
7. What is the recommended voltage for input/output buffer (VDDQ) for this semiconductor?
The recommended voltage for input/output buffer (VDDQ) for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 1.2V.
8. Can you provide the refresh count for this semiconductor?
The refresh count for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 8K.
9. What is the CAS latency for this semiconductor?
The CAS latency for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is CL = 19.
10. Does this semiconductor support ECC (Error-Correction Code)?
Yes, the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR supports ECC (Error-Correction Code).
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Связанные ключевые слова
:
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Цена
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Картина
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products