WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
333MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Tb (256G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.5 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
47,272
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Особенности

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.5 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Подробная информация о продукции

:
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR (PDF), цена MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR, Распиновка MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR, руководство MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR и решение на замену MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR.
  

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR?
The maximum operating temperature for the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR is 85°C.

2. What is the typical voltage supply for this semiconductor?
The typical voltage supply for the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR is 1.8V.

3. Can you provide the data transfer rate for this component?
The data transfer rate for the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR is 1866 Mbps.

4. What are the recommended storage conditions for this semiconductor?
It is recommended to store the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR at a temperature range of -55°C to 100°C.

5. Is there a specific power consumption specification for this device?
The power consumption for the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR varies based on usage and configuration. Please refer to the datasheet for detailed information.

6. Can this semiconductor be used in automotive applications?
Yes, the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR is qualified for automotive applications.

7. What is the package type for this component?
The MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR comes in a 78-ball FBGA package.

8. Are there any special handling considerations for this semiconductor during assembly?
Special care should be taken to avoid electrostatic discharge (ESD) during the handling and assembly of the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR.

9. Does this component have built-in error correction capabilities?
Yes, the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR features built-in error correction code (ECC) functionality.

10. What is the expected lifespan or reliability of this semiconductor?
The expected lifespan and reliability of the MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR depend on various factors such as operating conditions and usage. It is advisable to refer to the datasheet for detailed reliability information.
  

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Связанные ключевые слова

:
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Цена
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Техническая спецификация
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Картина
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR PDF
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Технические характеристики
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Напряжение на выводе
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products