MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
167MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Gb (64G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
57,224
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Особенности
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Подробная информация о продукции
:
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR (PDF), цена MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR, Распиновка MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR, руководство MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR и решение на замену MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR (PDF), цена MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR, Распиновка MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR, руководство MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR и решение на замену MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR?
The maximum operating frequency of the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 1066MHz.
2. What is the power supply voltage range for this semiconductor?
The power supply voltage range for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 2.7V to 3.6V.
3. Can this semiconductor operate in industrial temperature ranges?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR can operate in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical standby current for this semiconductor?
The typical standby current for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 1μA.
5. Does this semiconductor support on-die termination (ODT)?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR supports on-die termination (ODT).
6. What is the burst length supported by this semiconductor?
This semiconductor supports burst lengths of 8 and 4.
7. Is the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR compatible with DDR3 SDRAM standards?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is compatible with DDR3 SDRAM standards.
8. What is the refresh rate for this semiconductor?
The refresh rate for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is every 7.8μs.
9. Can this semiconductor operate at different CAS latency settings?
Yes, the MT29E512G08CMMCBBH7-6:B TR can operate at different CAS latency settings.
10. What is the maximum clock cycle time for this semiconductor?
The maximum clock cycle time for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 940ps.
The maximum operating frequency of the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 1066MHz.
2. What is the power supply voltage range for this semiconductor?
The power supply voltage range for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 2.7V to 3.6V.
3. Can this semiconductor operate in industrial temperature ranges?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR can operate in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical standby current for this semiconductor?
The typical standby current for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 1μA.
5. Does this semiconductor support on-die termination (ODT)?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR supports on-die termination (ODT).
6. What is the burst length supported by this semiconductor?
This semiconductor supports burst lengths of 8 and 4.
7. Is the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR compatible with DDR3 SDRAM standards?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is compatible with DDR3 SDRAM standards.
8. What is the refresh rate for this semiconductor?
The refresh rate for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is every 7.8μs.
9. Can this semiconductor operate at different CAS latency settings?
Yes, the MT29E512G08CMMCBBH7-6:B TR can operate at different CAS latency settings.
10. What is the maximum clock cycle time for this semiconductor?
The maximum clock cycle time for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 940ps.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Связанные ключевые слова
:
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Цена
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Картина
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products