MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 8UPDFN

Интегральные схемы (ИС)     8-UDFN
Номер производителя:
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1GBIT 8UPDFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
SPI
Memory Size :
1Gb (1G x 1)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
8-UDFN
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
8-U-PDFN (8x6)
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
56,318
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Особенности

MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 8-UDFN, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 8-U-PDFN (8x6), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Подробная информация о продукции

:
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR (PDF), цена MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR, Распиновка MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR, руководство MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR и решение на замену MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR.
  

MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical input voltage range for this NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory is designed to meet the rigorous demands of automotive applications.

4. What is the maximum clock frequency supported by this NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory is 50MHz.

5. Does this NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory supports hardware data protection features for enhanced security.

6. What is the typical page size for this NAND flash memory?
The typical page size for the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory is 2KB.

7. Is the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory is designed to operate reliably in industrial environments.

8. What is the erase cycle endurance for this NAND flash memory?
The MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory has an erase cycle endurance of 100,000 cycles.

9. Can this NAND flash memory be used in conjunction with wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory can be used in conjunction with wear-leveling algorithms to extend its lifespan.

10. What is the typical data retention period for the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory?
The typical data retention period for the MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR NAND flash memory is 10 years.
  

MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products