WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 48TSOP
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 48TSOP

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 1GBIT 48TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Gb (128M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
15,444
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1G08ABADAWP-E:D TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F1G08ABADAWP-E:D TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F1G08ABADAWP-E:D TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Особенности

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Подробная информация о продукции

:
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G08ABADAWP-E:D TR (PDF), цена MT29F1G08ABADAWP-E:D TR, Распиновка MT29F1G08ABADAWP-E:D TR, руководство MT29F1G08ABADAWP-E:D TR и решение на замену MT29F1G08ABADAWP-E:D TR.
  

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical input voltage range for this NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is designed to meet the rigorous demands of automotive applications.

4. What is the erase cycle endurance for this NAND flash memory?
The erase cycle endurance for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is specified as 100,000 cycles.

5. Does this NAND flash memory support a wide range of interface voltages?
Yes, the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory supports a wide range of interface voltages, making it versatile for various applications.

6. What are the available package options for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory?
The MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is available in a 48-ball FBGA package.

7. Is the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is designed to operate reliably in industrial environments.

8. What is the maximum clock frequency supported by this NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is 50MHz.

9. Can the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory be used in conjunction with hardware encryption engines?
Yes, the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory can be used in conjunction with hardware encryption engines for enhanced data security.

10. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory during read operations is 25mA.
  

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Связанные ключевые слова

:
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Цена
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Техническая спецификация
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Картина
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR PDF
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Технические характеристики
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Напряжение на выводе
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products