MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
Интегральные схемы (ИС) 63-VFBGA
Номер производителя:
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Gb (128M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
63-VFBGA
Packaging :
Bulk
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
63-VFBGA (9x11)
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
28,180
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1G08ABAEAH4-IT:E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F1G08ABAEAH4-IT:E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F1G08ABAEAH4-IT:E. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Особенности
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 63-VFBGA, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 63-VFBGA (9x11), 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Подробная информация о продукции
:
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G08ABAEAH4-IT:E (PDF), цена MT29F1G08ABAEAH4-IT:E, Распиновка MT29F1G08ABAEAH4-IT:E, руководство MT29F1G08ABAEAH4-IT:E и решение на замену MT29F1G08ABAEAH4-IT:E.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G08ABAEAH4-IT:E (PDF), цена MT29F1G08ABAEAH4-IT:E, Распиновка MT29F1G08ABAEAH4-IT:E, руководство MT29F1G08ABAEAH4-IT:E и решение на замену MT29F1G08ABAEAH4-IT:E.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.
4. What is the data retention period of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is 10 years.
5. Does the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP protection.
6. What are the available package options for the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory?
The MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is available in a 48-ball TSOP and a 63-ball BGA package.
7. Is the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory compatible with 3.3V and 1.8V interfaces?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is compatible with both 3.3V and 1.8V interfaces.
8. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory?
The maximum program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is 3000 cycles.
9. Can the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is suitable for use in automotive applications.
10. Does the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory have built-in error correction capabilities?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory has built-in ECC (Error Correction Code) capabilities to ensure data integrity.
The maximum operating frequency of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.
4. What is the data retention period of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is 10 years.
5. Does the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP protection.
6. What are the available package options for the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory?
The MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is available in a 48-ball TSOP and a 63-ball BGA package.
7. Is the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory compatible with 3.3V and 1.8V interfaces?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is compatible with both 3.3V and 1.8V interfaces.
8. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory?
The maximum program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is 3000 cycles.
9. Can the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory is suitable for use in automotive applications.
10. Does the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory have built-in error correction capabilities?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-IT:E NAND flash memory has built-in ECC (Error Correction Code) capabilities to ensure data integrity.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Связанные ключевые слова
:
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Цена
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Картина
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products