WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR

MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA

Интегральные схемы (ИС)     63-VFBGA
Номер производителя:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Gb (128M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
63-VFBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
63-VFBGA (9x11)
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
48,073
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Особенности

MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 63-VFBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 63-VFBGA (9x11), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Подробная информация о продукции

:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR (PDF), цена MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR, Распиновка MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR, руководство MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR и решение на замену MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR.
  

MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory is 50MHz.

2. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory during read operations is 25mA.

3. Can the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the maximum data transfer rate supported by the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory?
The maximum data transfer rate supported by the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory is 200MB/s.

5. Does the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory supports hardware data protection features such as ECC (Error Correction Code) and wear leveling.

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory is 10,000 cycles.

7. Is the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface).

8. What is the voltage supply range for the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory?
The voltage supply range for the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

9. Does the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory support multiple plane operations?
Yes, the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory supports multiple plane operations for improved performance.

10. What are the available package options for the MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory?
The MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR NAND flash memory is available in a 48-ball TFBGA package.
  

MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Связанные ключевые слова

:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Цена
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Техническая спецификация
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Картина
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR PDF
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Технические характеристики
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Напряжение на выводе
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products