MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Gb (64M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
41,420
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Особенности
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Подробная информация о продукции
:
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR (PDF), цена MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR, Распиновка MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR, руководство MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR и решение на замену MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR (PDF), цена MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR, Распиновка MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR, руководство MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR и решение на замену MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR during read operations is 50mA.
3. Can the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 50MHz.
5. Is the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges (-40°C to 85°C).
6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 10,000 cycles.
7. Does the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR supports hardware data protection features such as block lock and OTP protection.
8. What is the package type of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is available in a 48-ball TFBGA package.
9. Can the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR can operate in both synchronous and asynchronous modes.
10. What are the recommended storage conditions for the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The recommended storage conditions for the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory are -65°C to 150°C and 12 months at 25°C.
The maximum operating temperature for the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR during read operations is 50mA.
3. Can the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 50MHz.
5. Is the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges (-40°C to 85°C).
6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 10,000 cycles.
7. Does the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR supports hardware data protection features such as block lock and OTP protection.
8. What is the package type of the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is available in a 48-ball TFBGA package.
9. Can the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR can operate in both synchronous and asynchronous modes.
10. What are the recommended storage conditions for the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The recommended storage conditions for the MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory are -65°C to 150°C and 12 months at 25°C.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Связанные ключевые слова
:
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Цена
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Картина
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products
