MT29F1G16ABBEAH4:E Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
Интегральные схемы (ИС) 63-VFBGA
Номер производителя:
MT29F1G16ABBEAH4:E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Gb (64M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
63-VFBGA
Packaging :
Bulk
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
63-VFBGA (9x11)
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
27,820
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F1G16ABBEAH4:E Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1G16ABBEAH4:E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F1G16ABBEAH4:E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F1G16ABBEAH4:E. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F1G16ABBEAH4:E Особенности
MT29F1G16ABBEAH4:E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is 63-VFBGA, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 63-VFBGA (9x11), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
MT29F1G16ABBEAH4:E Подробная информация о продукции
:
MT29F1G16ABBEAH4:E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F1G16ABBEAH4:E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G16ABBEAH4:E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G16ABBEAH4:E (PDF), цена MT29F1G16ABBEAH4:E, Распиновка MT29F1G16ABBEAH4:E, руководство MT29F1G16ABBEAH4:E и решение на замену MT29F1G16ABBEAH4:E.
MT29F1G16ABBEAH4:E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G16ABBEAH4:E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G16ABBEAH4:E (PDF), цена MT29F1G16ABBEAH4:E, Распиновка MT29F1G16ABBEAH4:E, руководство MT29F1G16ABBEAH4:E и решение на замену MT29F1G16ABBEAH4:E.
MT29F1G16ABBEAH4:E FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1G16ABBEAH4:E during read and program operations?
The typical power consumption during read operations is 50mA, and during program operations it is 60mA.
3. Can the MT29F1G16ABBEAH4:E support both asynchronous and synchronous operation?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4:E can support both asynchronous and synchronous operation.
4. What is the erase cycle endurance of the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory?
The erase cycle endurance of the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory is 100,000 cycles.
5. Does the MT29F1G16ABBEAH4:E support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4:E supports hardware data protection features such as program/erase lockout and secure OTP.
6. What are the available package options for the MT29F1G16ABBEAH4:E?
The MT29F1G16ABBEAH4:E is available in a 48-ball BGA package.
7. Is the MT29F1G16ABBEAH4:E compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4:E is compatible with industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
8. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1G16ABBEAH4:E?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G16ABBEAH4:E is 50MHz.
9. Can the MT29F1G16ABBEAH4:E perform on-chip ECC (Error Correction Code) for data integrity?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4:E can perform on-chip ECC for data integrity.
10. What is the voltage range for the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory?
The voltage range for the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
The maximum operating temperature for the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1G16ABBEAH4:E during read and program operations?
The typical power consumption during read operations is 50mA, and during program operations it is 60mA.
3. Can the MT29F1G16ABBEAH4:E support both asynchronous and synchronous operation?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4:E can support both asynchronous and synchronous operation.
4. What is the erase cycle endurance of the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory?
The erase cycle endurance of the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory is 100,000 cycles.
5. Does the MT29F1G16ABBEAH4:E support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4:E supports hardware data protection features such as program/erase lockout and secure OTP.
6. What are the available package options for the MT29F1G16ABBEAH4:E?
The MT29F1G16ABBEAH4:E is available in a 48-ball BGA package.
7. Is the MT29F1G16ABBEAH4:E compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4:E is compatible with industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
8. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1G16ABBEAH4:E?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G16ABBEAH4:E is 50MHz.
9. Can the MT29F1G16ABBEAH4:E perform on-chip ECC (Error Correction Code) for data integrity?
Yes, the MT29F1G16ABBEAH4:E can perform on-chip ECC for data integrity.
10. What is the voltage range for the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory?
The voltage range for the MT29F1G16ABBEAH4:E NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
MT29F1G16ABBEAH4:E Связанные ключевые слова
:
MT29F1G16ABBEAH4:E Цена
MT29F1G16ABBEAH4:E Картина
MT29F1G16ABBEAH4:E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products