MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
Интегральные схемы (ИС) 63-VFBGA
Номер производителя:
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Gb (64M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
63-VFBGA
Packaging :
Bulk
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
63-VFBGA (10.5x13)
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
39,901
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1G16ABBEAHC-IT:E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F1G16ABBEAHC-IT:E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F1G16ABBEAHC-IT:E. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Особенности
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 63-VFBGA, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 63-VFBGA (10.5x13), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Подробная информация о продукции
:
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G16ABBEAHC-IT:E (PDF), цена MT29F1G16ABBEAHC-IT:E, Распиновка MT29F1G16ABBEAHC-IT:E, руководство MT29F1G16ABBEAHC-IT:E и решение на замену MT29F1G16ABBEAHC-IT:E.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1G16ABBEAHC-IT:E (PDF), цена MT29F1G16ABBEAHC-IT:E, Распиновка MT29F1G16ABBEAHC-IT:E, руководство MT29F1G16ABBEAHC-IT:E и решение на замену MT29F1G16ABBEAHC-IT:E.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory has a maximum capacity of 1 gigabit.
2. What interface does the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory uses a standard 8-bit or 16-bit multiplexed I/O interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
4. Can the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is designed to withstand industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
5. What are the typical read and program times for the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The typical read time for the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.
6. Does the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory supports hardware data protection features such as program/erase lock and block lock protection.
7. What is the erase block size of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The erase block size of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is 128K bytes.
8. Can the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is suitable for automotive applications and complies with AEC-Q100 specifications.
9. What is the data retention period of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is 10 years.
10. Does the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory blocks.
The MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory has a maximum capacity of 1 gigabit.
2. What interface does the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory uses a standard 8-bit or 16-bit multiplexed I/O interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
4. Can the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is designed to withstand industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
5. What are the typical read and program times for the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The typical read time for the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.
6. Does the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory supports hardware data protection features such as program/erase lock and block lock protection.
7. What is the erase block size of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The erase block size of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is 128K bytes.
8. Can the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is suitable for automotive applications and complies with AEC-Q100 specifications.
9. What is the data retention period of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory is 10 years.
10. Does the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F1G16ABBEAHC-IT:E NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory blocks.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Связанные ключевые слова
:
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Цена
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Картина
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products