MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1TBIT 333MHZ 132VBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 1TBIT 333MHZ 132VBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
333MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Tb (128G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.5 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
49,440
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR Особенности

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.5 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR Подробная информация о продукции

:
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR (PDF), цена MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR, Распиновка MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR, руководство MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR и решение на замену MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR.
  

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical input voltage range for this NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory is designed for automotive applications and meets the necessary quality and reliability standards.

4. What is the maximum clock frequency supported by this NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory is 50MHz.

5. Does this NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory supports hardware data protection features to ensure data integrity.

6. What are the available package options for the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory?
The MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory is available in a 48-ball BGA package.

7. Is the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory is designed to operate reliably in industrial temperature ranges.

8. What is the typical program/erase cycle endurance for this NAND flash memory?
The MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory has a typical program/erase cycle endurance of 10,000 cycles.

9. Can the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory be used in battery-powered devices?
Yes, the low power consumption characteristics of the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory make it suitable for use in battery-powered devices.

10. Does this NAND flash memory support advanced error correction techniques?
Yes, the MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR NAND flash memory supports advanced error correction techniques to enhance data reliability and integrity.
  

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products