MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. IC FLASH TLC 1TBIT 128GX8 VBGA Q
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH TLC 1TBIT 128GX8 VBGA Q
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
333MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
1Tb (128G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.5 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
38,718
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Особенности
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.5 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Подробная информация о продукции
:
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR (PDF), цена MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR, Распиновка MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR, руководство MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR и решение на замену MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR (PDF), цена MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR, Распиновка MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR, руководство MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR и решение на замену MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory during read operations is 50mA.
3. Can the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is 50MHz.
5. Is the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is 10,000 cycles.
7. Does the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory supports hardware data protection features.
8. What are the available package options for the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The available package options for the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory include FBGA and WSON.
9. Can the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory operate in a dual-die configuration?
Yes, the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory can operate in a dual-die configuration.
10. What is the typical data retention period of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is 10 years.
The maximum operating temperature for the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory during read operations is 50mA.
3. Can the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is 50MHz.
5. Is the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is 10,000 cycles.
7. Does the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory supports hardware data protection features.
8. What are the available package options for the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The available package options for the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory include FBGA and WSON.
9. Can the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory operate in a dual-die configuration?
Yes, the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory can operate in a dual-die configuration.
10. What is the typical data retention period of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR NAND flash memory is 10 years.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Связанные ключевые слова
:
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Цена
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Картина
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products
