MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Micron Technology Inc. IC FLASH 256GBIT 83MHZ 100TBGA

Интегральные схемы (ИС) 100-TBGA

Номер производителя:

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR

Производитель:

Micron Technology Inc.

Категория продукции:

объем памяти

Описание:

IC FLASH 256GBIT 83MHZ 100TBGA

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных

Access Time :

Clock Frequency :

83MHz

Memory Format :

Flash

Memory Interface :

Parallel

Memory Size :

256Gb (32G x 8)

Memory Type :

Non-Volatile

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

0°C ~ 70°C (TA)

Package / Case :

100-TBGA

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Obsolete

Series :

Supplier Device Package :

100-TBGA (12x18)

Technology :

FLASH - NAND

Voltage - Supply :

2.7 V ~ 3.6 V

Write Cycle Time - Word, Page :

в наличии

17,058

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR. Нажмите, чтобы получить предложение

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Особенности

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is 100-TBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 100-TBGA (12x18), 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Подробная информация о продукции

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR (PDF), цена MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR, Распиновка MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR, руководство MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR и решение на замену MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR.

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR FAQ

1. What is the maximum capacity of the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR NAND flash memory?
The MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR NAND flash memory has a maximum capacity of 256 gigabits.

2. What is the operating voltage range for the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR?
The operating voltage range for the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR is 2.7V to 3.6V.

3. Can the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR withstand high temperatures?
Yes, the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR is designed to withstand high temperatures, making it suitable for various industrial applications.

4. What interface does the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR use for data transfer?
The MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR uses a standard NAND flash interface for data transfer.

5. Is the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR compatible with hardware encryption?
Yes, the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR supports hardware encryption for data security.

6. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR?
The MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR has a typical program and erase cycle endurance of 3,000 cycles.

7. Does the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR supports advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory blocks.

8. What are the available package options for the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR?
The MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR is available in a variety of industry-standard packages, including TSOP and BGA.

9. Can the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR operate in both SLC and MLC modes?
Yes, the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR can operate in both Single-Level Cell (SLC) and Multi-Level Cell (MLC) modes, offering flexibility in performance and cost.

10. What is the typical data retention period of the MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR?
The MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR has a typical data retention period of 10 years, ensuring long-term reliability for stored data.

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Связанные ключевые слова

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Цена

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Техническая спецификация

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Картина

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR PDF

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Технические характеристики

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Напряжение на выводе

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "MT29" series products

MT29F128G08AECBBH6-6:B TR

IC FLASH 128GBIT 152VBGA
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B

SLC 128G 16GX8 VBGA DDP
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B

SLC 128G 16GX8 VBGA DDP
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B

SLC 128G 16GX8 VBGA DDP
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR

IC FLASH 128GBIT 152VBGA
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR

IC FLASH 128GBIT 152VBGA
MT29F128G08AEEBBH6-12:B

IC FLASH 128GBIT VBGA
MT29F128G08AEEBBH6-12:B

IC FLASH 128GBIT VBGA
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

IC FLASH 128GBIT 152VBGA
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

IC FLASH 128GBIT 152VBGA