MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Micron Technology Inc. IC FLASH SLC 2GBIT 2GX1 TBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH SLC 2GBIT 2GX1 TBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
83MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
SPI
Memory Size :
2Gb (2G x 1)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-40°C ~ 105°C (TC)
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
15,618
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F2G01ABAGD12-AAT:G более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F2G01ABAGD12-AAT:G. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F2G01ABAGD12-AAT:G. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Особенности

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 105°C (TC), the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Подробная информация о продукции

:
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F2G01ABAGD12-AAT:G (PDF), цена MT29F2G01ABAGD12-AAT:G, Распиновка MT29F2G01ABAGD12-AAT:G, руководство MT29F2G01ABAGD12-AAT:G и решение на замену MT29F2G01ABAGD12-AAT:G.
  

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G FAQ

:
1. What is the storage capacity of the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory?
The MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory has a storage capacity of 2 gigabits.

2. What interface does the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.

3. Can the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory is designed to meet the rigorous demands of automotive applications.

4. What is the operating voltage range of the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory is typically 2.7V to 3.6V.

5. Does the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory supports hardware-based data protection features for enhanced security.

6. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory?
The MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory supports a maximum clock frequency of 50MHz.

7. Is the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.

8. Can the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory be used in conjunction with error correction codes (ECC)?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory can be used in conjunction with error correction codes (ECC) for data integrity.

9. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory?
The MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory offers a typical program and erase cycle endurance of 10,000 cycles.

10. Does the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory incorporate built-in wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory incorporates built-in wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory blocks.
  

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products