MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2GBIT 48TSOP

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 2GBIT 48TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Gb (256M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
25,902
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Особенности

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Подробная информация о продукции

:
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR (PDF), цена MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR, Распиновка MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR, руководство MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR и решение на замену MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR.
  

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical power consumption of the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory during read operations is 50mA.

3. Can the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory is designed to meet the rigorous demands of automotive applications.

4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory is 50MHz.

5. Does the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory supports hardware data protection features to ensure data integrity.

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory is 10,000 cycles.

7. Is the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory compatible with 3.3V supply voltage?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory is compatible with a 3.3V supply voltage.

8. What is the package type of the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory?
The MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory is available in a 48-ball TSOP package.

9. Does the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory support on-chip ECC (Error Correction Code)?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory supports on-chip ECC for improved data reliability.

10. What is the maximum data transfer rate of the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory?
The maximum data transfer rate of the MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR NAND flash memory is 25MB/s.
  

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products