WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2GBIT 63VFBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Gb (256M x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
35,826
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Особенности

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Подробная информация о продукции

:
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR (PDF), цена MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR, Распиновка MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR, руководство MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR и решение на замену MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR.
  

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical input voltage range for this NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is suitable for use in automotive applications.

4. What is the maximum clock frequency supported by this NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 50MHz.

5. Does this NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory supports hardware data protection features.

6. What is the typical page size for this NAND flash memory?
The typical page size for the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 2KB.

7. Is the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is compatible with industrial operating conditions.

8. What is the maximum erase count for this NAND flash memory?
The maximum erase count for the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 100,000 cycles.

9. Can this NAND flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.

10. What is the typical data retention period for this NAND flash memory?
The typical data retention period for the MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 10 years.
  

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Связанные ключевые слова

:
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Цена
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Техническая спецификация
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Картина
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR PDF
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Технические характеристики
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Напряжение на выводе
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products