MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
Интегральные схемы (ИС) 63-VFBGA
Номер производителя:
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Gb (128M x 16)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
63-VFBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
63-VFBGA (9x11)
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
58,517
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Особенности
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TA), the size is 63-VFBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 63-VFBGA (9x11), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Подробная информация о продукции
:
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR (PDF), цена MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR, Распиновка MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR, руководство MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR и решение на замену MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR (PDF), цена MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR, Распиновка MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR, руководство MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR и решение на замену MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory is 50MHz.
2. What is the storage capacity of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory has a storage capacity of 2 gigabits (256 megabytes).
3. What are the voltage requirements for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The voltage requirements for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory are 2.7V to 3.6V for read and program operations, and 0V to 3.6V for erase operations.
4. What is the typical power consumption of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory during operation?
The typical power consumption of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory during operation is 25mA for read operations and 30mA for program/erase operations.
5. What interface does the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory support?
The MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory supports a standard asynchronous NAND flash interface.
6. What is the temperature range for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The temperature range for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory is -40°C to 85°C for industrial applications.
7. Does the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory supports hardware data protection features such as program/erase lockout and secure OTP (One-Time Programmable) area.
8. What are the typical access times for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The typical access times for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory are 50ns for sequential access and 200μs for random access.
9. Can the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.
10. What are the available package options for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory is available in a 48-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.
The maximum operating frequency of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory is 50MHz.
2. What is the storage capacity of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory has a storage capacity of 2 gigabits (256 megabytes).
3. What are the voltage requirements for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The voltage requirements for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory are 2.7V to 3.6V for read and program operations, and 0V to 3.6V for erase operations.
4. What is the typical power consumption of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory during operation?
The typical power consumption of the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory during operation is 25mA for read operations and 30mA for program/erase operations.
5. What interface does the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory support?
The MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory supports a standard asynchronous NAND flash interface.
6. What is the temperature range for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The temperature range for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory is -40°C to 85°C for industrial applications.
7. Does the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory supports hardware data protection features such as program/erase lockout and secure OTP (One-Time Programmable) area.
8. What are the typical access times for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The typical access times for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory are 50ns for sequential access and 200μs for random access.
9. Can the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.
10. What are the available package options for the MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory?
The MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR NAND flash memory is available in a 48-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Связанные ключевые слова
:
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Цена
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Картина
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products