WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
333MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
2Tb (256G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.5 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
31,910
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Особенности

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.5 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Подробная информация о продукции

:
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR (PDF), цена MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR, Распиновка MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR, руководство MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR и решение на замену MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR.
  

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical input voltage range for this NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can you provide the programming algorithm for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The programming algorithm for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is available in the datasheet provided by the manufacturer.

4. What are the available package options for this NAND flash memory?
The MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is available in a 48-ball FBGA package.

5. Is there a recommended method for erasing the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
Yes, the recommended method for erasing the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is through the use of the specified commands outlined in the datasheet.

6. What is the typical page size for this NAND flash memory?
The typical page size for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is 2KB.

7. Can you explain the endurance and retention characteristics of this NAND flash memory?
The endurance and retention characteristics of the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory can be found in the datasheet provided by the manufacturer.

8. Are there any specific design considerations when using this NAND flash memory in a system?
Specific design considerations when using the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory may include signal integrity, power supply stability, and thermal management.

9. What is the typical data transfer rate for this NAND flash memory?
The typical data transfer rate for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is specified in the datasheet and may vary based on operating conditions.

10. Can you provide information on the availability and lead time for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
Information on the availability and lead time for the MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory can be obtained from the manufacturer or authorized distributors.
  

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Связанные ключевые слова

:
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Цена
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Техническая спецификация
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Картина
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR PDF
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Технические характеристики
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Напряжение на выводе
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products