WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Micron Technology Inc. IC FLASH 32GBIT WAFER
MT29F32G08CBADAL83A3WC1

MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Micron Technology Inc. IC FLASH 32GBIT WAFER

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F32G08CBADAL83A3WC1
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 32GBIT WAFER
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
32Gb (4G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
39,643
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F32G08CBADAL83A3WC1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F32G08CBADAL83A3WC1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F32G08CBADAL83A3WC1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Особенности

MT29F32G08CBADAL83A3WC1 is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Подробная информация о продукции

:
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F32G08CBADAL83A3WC1 (PDF), цена MT29F32G08CBADAL83A3WC1, Распиновка MT29F32G08CBADAL83A3WC1, руководство MT29F32G08CBADAL83A3WC1 и решение на замену MT29F32G08CBADAL83A3WC1.
  

MT29F32G08CBADAL83A3WC1 FAQ

:
1. What is the maximum capacity of the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory?
The MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory has a maximum capacity of 32 gigabits.

2. What interface does the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory uses a standard ONFI 2.3-compliant interface for data transfer.

3. What is the operating voltage range of the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

4. Can the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.

5. What are the typical read and program times for the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory?
The typical read time for the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.

6. Does the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (one-time programmable) bits.

7. What is the erase block size of the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory?
The erase block size of the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory is 128 kilobytes.

8. Can the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory is AEC-Q100 qualified and suitable for automotive applications.

9. What is the data retention period of the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory is 10 years.

10. Does the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F32G08CBADAL83A3WC1 NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory blocks.
  

MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Связанные ключевые слова

:
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Цена
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Техническая спецификация
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Картина
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 PDF
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Технические характеристики
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Напряжение на выводе
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products