WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
333MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
3Tb (384G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.5 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
49,417
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Особенности

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.5 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Подробная информация о продукции

:
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR (PDF), цена MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR, Распиновка MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR, руководство MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR и решение на замену MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR.
  

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical input voltage range for this NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can you provide the programming algorithm for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The programming algorithm for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is available in the datasheet provided by the manufacturer.

4. What are the available package options for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is available in a 48-ball BGA package.

5. Is the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges.

6. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is 50MHz.

7. Can you provide information on the data retention characteristics of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The data retention characteristics of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory are specified in the datasheet provided by the manufacturer.

8. What is the erase block size for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The erase block size for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory is 128K bytes.

9. Does the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory support hardware or software data protection features?
Yes, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory supports both hardware and software data protection features.

10. Can you provide details on the ECC (Error Correction Code) capabilities of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory?
The ECC capabilities of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR NAND flash memory are outlined in the datasheet provided by the manufacturer.
  

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Связанные ключевые слова

:
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Цена
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Техническая спецификация
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Картина
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR PDF
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Технические характеристики
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Напряжение на выводе
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products