WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Micron Technology Inc. IC FLASH SLC 4GBIT 4GX1 TBGA
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Micron Technology Inc. IC FLASH SLC 4GBIT 4GX1 TBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH SLC 4GBIT 4GX1 TBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
-
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
SPI
Memory Size :
4Gb (4G x 1)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-40°C ~ 105°C (TC)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
40,174
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Особенности

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 105°C (TC), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
  

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Подробная информация о продукции

:
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR (PDF), цена MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR, Распиновка MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR, руководство MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR и решение на замену MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR.
  

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical power consumption of the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory during read operations is 50mA.

3. Can the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.

4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory is 50MHz.

5. Does the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory supports hardware data protection features.

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory is 10,000 cycles.

7. Is the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces.

8. What is the typical data retention period of the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory is 10 years.

9. Can the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory operate in industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory can operate in industrial temperature ranges (-40°C to 85°C).

10. Does the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory support on-chip ECC (Error Correction Code)?
Yes, the MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR NAND flash memory supports on-chip ECC (Error Correction Code).
  

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Связанные ключевые слова

:
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Цена
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Техническая спецификация
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Картина
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR PDF
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Технические характеристики
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Напряжение на выводе
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products