WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 4TBIT 267MHZ 132LBGA
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 4TBIT 267MHZ 132LBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 4TBIT 267MHZ 132LBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
267MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
4Tb (512G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
11,787
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Особенности

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Подробная информация о продукции

:
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR (PDF), цена MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR, Распиновка MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR, руководство MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR и решение на замену MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR.
  

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical input voltage range for this NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory is designed for automotive applications and meets the necessary quality and reliability standards.

4. What is the maximum clock frequency supported by this NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory is 50MHz.

5. Does this NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory supports hardware data protection features to ensure data integrity.

6. What are the available package options for the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory?
The MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory is available in a 48-ball BGA package.

7. Is the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory is designed to operate reliably in industrial environments.

8. What is the typical program/erase cycle endurance for this NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance for the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory is 3000 cycles.

9. Can the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory be used in conjunction with a microcontroller?
Yes, the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory can be interfaced with a microcontroller for data storage and retrieval.

10. Does this NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms to extend its lifespan and reliability.
  

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Связанные ключевые слова

:
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Цена
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Техническая спецификация
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Картина
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR PDF
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Технические характеристики
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Напряжение на выводе
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products