MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
166MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Gb (64G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
21,902
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Особенности
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Подробная информация о продукции
:
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR (PDF), цена MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR, Распиновка MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR, руководство MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR и решение на замену MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR (PDF), цена MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR, Распиновка MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR, руководство MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR и решение на замену MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.
2. What is the interface protocol supported by the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory supports the ONFI 4.0 interface protocol.
3. What are the operating voltage and temperature range for the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory operates at 3.3V and has a temperature range of -40°C to 85°C.
4. Can the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory is AEC-Q100 qualified and suitable for automotive applications.
5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory has a typical program/erase cycle endurance of 3,000 cycles.
6. Does the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory supports hardware-based data protection features such as internal ECC and bad block management.
7. What are the package dimensions of the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package with dimensions of 9mm x 11mm.
8. Is the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory is designed for industrial-grade applications and meets the necessary reliability and quality standards.
9. What are the key differences between the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR and its predecessor?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR offers higher capacity, faster interface speed, and improved reliability compared to its predecessor.
10. Can the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory be used in conjunction with other memory devices?
Yes, the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory can be used in conjunction with other memory devices to meet specific system requirements.
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.
2. What is the interface protocol supported by the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory supports the ONFI 4.0 interface protocol.
3. What are the operating voltage and temperature range for the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory operates at 3.3V and has a temperature range of -40°C to 85°C.
4. Can the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory is AEC-Q100 qualified and suitable for automotive applications.
5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory has a typical program/erase cycle endurance of 3,000 cycles.
6. Does the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory supports hardware-based data protection features such as internal ECC and bad block management.
7. What are the package dimensions of the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package with dimensions of 9mm x 11mm.
8. Is the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory is designed for industrial-grade applications and meets the necessary reliability and quality standards.
9. What are the key differences between the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR and its predecessor?
The MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR offers higher capacity, faster interface speed, and improved reliability compared to its predecessor.
10. Can the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory be used in conjunction with other memory devices?
Yes, the MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR NAND flash memory can be used in conjunction with other memory devices to meet specific system requirements.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Связанные ключевые слова
:
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Цена
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Картина
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products
