MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Micron Technology Inc. IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
166MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Gb (64G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
54,224
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F512G08CKCCBH7-6R:C более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F512G08CKCCBH7-6R:C. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F512G08CKCCBH7-6R:C. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Особенности
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Подробная информация о продукции
:
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F512G08CKCCBH7-6R:C (PDF), цена MT29F512G08CKCCBH7-6R:C, Распиновка MT29F512G08CKCCBH7-6R:C, руководство MT29F512G08CKCCBH7-6R:C и решение на замену MT29F512G08CKCCBH7-6R:C.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F512G08CKCCBH7-6R:C (PDF), цена MT29F512G08CKCCBH7-6R:C, Распиновка MT29F512G08CKCCBH7-6R:C, руководство MT29F512G08CKCCBH7-6R:C и решение на замену MT29F512G08CKCCBH7-6R:C.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.
2. What is the interface protocol supported by the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory supports the ONFI 4.0 interface protocol.
3. What are the operating voltage and temperature range for the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The operating voltage for the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is 2.7V to 3.6V, and it operates within a temperature range of -40°C to 85°C.
4. Can the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is designed for automotive applications and meets the AEC-Q100 Grade 2 qualification.
5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory has a typical program and erase cycle endurance of 3,000 cycles.
6. Does the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory supports hardware-based data protection features such as internal ECC and bad block management.
7. What is the package type of the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package.
8. Is the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is suitable for industrial-grade applications and meets the industrial temperature range requirements.
9. What are the main target applications for the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is targeted for use in solid-state drives (SSDs), automotive infotainment systems, and industrial embedded systems.
10. Does the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory support advanced features such as dynamic NAND technology?
Yes, the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory supports advanced features including dynamic NAND technology for improved performance and reliability.
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.
2. What is the interface protocol supported by the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory supports the ONFI 4.0 interface protocol.
3. What are the operating voltage and temperature range for the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The operating voltage for the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is 2.7V to 3.6V, and it operates within a temperature range of -40°C to 85°C.
4. Can the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is designed for automotive applications and meets the AEC-Q100 Grade 2 qualification.
5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory has a typical program and erase cycle endurance of 3,000 cycles.
6. Does the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory supports hardware-based data protection features such as internal ECC and bad block management.
7. What is the package type of the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package.
8. Is the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is suitable for industrial-grade applications and meets the industrial temperature range requirements.
9. What are the main target applications for the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory?
The MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory is targeted for use in solid-state drives (SSDs), automotive infotainment systems, and industrial embedded systems.
10. Does the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory support advanced features such as dynamic NAND technology?
Yes, the MT29F512G08CKCCBH7-6R:C NAND flash memory supports advanced features including dynamic NAND technology for improved performance and reliability.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Связанные ключевые слова
:
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Цена
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Картина
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products
