WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональные поставщики электронных компонентов | CHIPIC

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT29F64G08CBCBBH1-10:B Micron Technology Inc. IC FLASH 64GBIT 100MHZ 100VBGA
MT29F64G08CBCBBH1-10:B

MT29F64G08CBCBBH1-10:B Micron Technology Inc. IC FLASH 64GBIT 100MHZ 100VBGA

Интегральные схемы (ИС)     -
Номер производителя:
MT29F64G08CBCBBH1-10:B
Производитель:
Micron Technology Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC FLASH 64GBIT 100MHZ 100VBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Access Time :
-
Clock Frequency :
100MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
64Gb (8G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Last Time Buy
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
31,844
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT29F64G08CBCBBH1-10:B Конкурентные цены

ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F64G08CBCBBH1-10:B более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив ChipIc MT29F64G08CBCBBH1-10:B. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT29F64G08CBCBBH1-10:B. Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT29F64G08CBCBBH1-10:B Особенности

MT29F64G08CBCBBH1-10:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
  

MT29F64G08CBCBBH1-10:B Подробная информация о продукции

:
MT29F64G08CBCBBH1-10:B — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Micron Technology Inc..
MT29F64G08CBCBBH1-10:B производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F64G08CBCBBH1-10:B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F64G08CBCBBH1-10:B (PDF), цена MT29F64G08CBCBBH1-10:B, Распиновка MT29F64G08CBCBBH1-10:B, руководство MT29F64G08CBCBBH1-10:B и решение на замену MT29F64G08CBCBBH1-10:B.
  

MT29F64G08CBCBBH1-10:B FAQ

:
1. What is the maximum capacity of the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory has a maximum capacity of 64 gigabits.

2. What is the interface protocol supported by the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory supports the Toggle 2.0 interface protocol.

3. What are the operating voltage and temperature range for the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory?
The operating voltage for the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory is 2.7V to 3.6V, and it operates within a temperature range of -40°C to 85°C.

4. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.

5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory has a typical program and erase cycle endurance of 3000 cycles.

6. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory supports hardware data protection features such as internal ECC and bad block management.

7. What are the available package options for the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package.

8. Is the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory is suitable for use in industrial-grade applications.

9. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory be operated in a low-power mode?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory supports a low-power standby mode for power efficiency.

10. What are the key reliability features of the MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10:B NAND flash memory incorporates reliability features such as advanced wear-leveling algorithms and data retention mechanisms.
  

MT29F64G08CBCBBH1-10:B Связанные ключевые слова

:
MT29F64G08CBCBBH1-10:B Цена
MT29F64G08CBCBBH1-10:B Техническая спецификация
MT29F64G08CBCBBH1-10:B Картина
MT29F64G08CBCBBH1-10:B PDF
MT29F64G08CBCBBH1-10:B Технические характеристики
MT29F64G08CBCBBH1-10:B Напряжение на выводе
MT29F64G08CBCBBH1-10:B Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT29" series products