MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 64GBIT 100MHZ 100VBGA
Интегральные схемы (ИС) -
Номер производителя:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 64GBIT 100MHZ 100VBGA
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
-
Clock Frequency :
100MHz
Memory Format :
Flash
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
64Gb (8G x 8)
Memory Type :
Non-Volatile
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case :
-
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
FLASH - NAND
Voltage - Supply :
2.7 V ~ 3.6 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
16,439
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Конкурентные цены
ChipIc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив ChipIc MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Особенности
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти, and its best working temperature is 0°C ~ 70°C (TA), the size is -, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using -, 2.7 V ~ 3.6 V is the most suitable voltage.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Подробная информация о продукции
:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR (PDF), цена MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR, Распиновка MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR, руководство MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR и решение на замену MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR (PDF), цена MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR, Распиновка MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR, руководство MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR и решение на замену MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 64 gigabits.
2. What interface does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.
3. What are the operating voltage and power consumption specifications of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
The operating voltage range for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V, and it has low power consumption characteristics.
4. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is designed to operate reliably at high temperatures.
5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory has a typical program/erase cycle endurance of 3,000 cycles.
6. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory supports hardware data protection features for enhanced reliability.
7. What are the available package options for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is available in a variety of industry-standard packages to suit different application requirements.
8. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.
9. Is the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory compatible with various NAND controller ICs?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is compatible with a wide range of NAND controller ICs for ease of integration.
10. What kind of technical support is available for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
Technical support for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is provided by the manufacturer, including datasheets, application notes, and direct engineering support.
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 64 gigabits.
2. What interface does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.
3. What are the operating voltage and power consumption specifications of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
The operating voltage range for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V, and it has low power consumption characteristics.
4. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is designed to operate reliably at high temperatures.
5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory has a typical program/erase cycle endurance of 3,000 cycles.
6. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory supports hardware data protection features for enhanced reliability.
7. What are the available package options for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is available in a variety of industry-standard packages to suit different application requirements.
8. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.
9. Is the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory compatible with various NAND controller ICs?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is compatible with a wide range of NAND controller ICs for ease of integration.
10. What kind of technical support is available for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory?
Technical support for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR NAND flash memory is provided by the manufacturer, including datasheets, application notes, and direct engineering support.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Связанные ключевые слова
:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Цена
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Картина
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products
